本發明公開了一種熒光增強基底,包括厚度為 0.5μm~1μm 的納米銀薄膜,所述薄膜表面有間距為 5nm~15nm 的納米銀圓形突起 陣列,所述圓形突起的直徑為 90nm~218nm,高度為 60nm~120nm。 本發明還公開了該熒光增強基底的制備方法,首先利用陽極氧化法在 鈦片表面生成氧化鈦納米管,用膠帶將鈦片表面的納米管剝離留下網 狀納米孔,然后在網狀納米孔內濺射納米銀,最后用導電膠帶將納米 銀薄膜從所述鈦片上