現(xiàn)今,高響應度光電倍增管(PMT)為最廣泛應用于微弱紫外信號的探測器,然而由于其體積大、易損壞、需要高精度高壓電源、無法實現(xiàn)陣列探測和價格高等因素的制約,研制碳化硅紫外雪崩光電探測器取代光電倍增管已經(jīng)成為近年來國際上光電探測領(lǐng)域的研究熱點。與光電倍增管相比,碳化硅紫外光電探測器具有體積小、可制作焦平面陣列探測、結(jié)構(gòu)簡單、可在室溫下工作、成本低等優(yōu)點。隨著碳化硅材料和其器件制備技術(shù)的不斷發(fā)展,其紫外光電探測器性能指標有望達到甚至超過光電倍增管。
本研究小組已就肖特基勢
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