金剛石半導體集熱、電、聲、機械等特性于一體,在禁帶寬度、擊穿場強、遷移率和熱導率等方面遠高于其他半導體,被稱為“終極半導體”。英寸級單晶金剛石襯底及其關鍵設備的產業化,可以極大地推進我國半導體的革命性變革,實現我國微電子行業的跨越式發展,達到國際先進水平。本項目在國家“千人計劃特聘專家”王宏興的推動下,已經完成了兩種微波等離子體CVD設備的設計和制造,利用這些設備已經完成了英寸級單晶金剛石襯底的工程樣品,實現了克隆襯底工藝的全線貫通,具有小批量產業化能力。按照日本相關公司的預測,隨著金剛石半導體的發展,在2030年,中國的市場規模達到100億美元。由于金剛石生產中的主要成本是甲烷、氫氣和消耗電力的費用,成本較低,經濟效益顯著。
金剛石半導體特性
關鍵設備-MPCVD
克隆技術
單晶金剛石襯底
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