本發明公開了一種利用錫須生長制備一維納米線的方法,在基片上沉積金屬層,利用光刻工藝形成條紋狀的納米級金屬細線;將金屬細線的兩端接電極,通電,促使金屬層加速生長晶須得到一維納米線。本發明能夠有效控制納米級細線的直徑大小和長度,生長出來的一維納米線直徑均勻,并直接在基底上生成,有利于三維封裝的連接。