預采購雙球差校正透射電子顯微鏡一套。主要配置和技術指標如下： 1. 球差校正透射電鏡主機一臺 1.1電子槍：場發射電子槍，亮度≥7.5 x 107A/m2/Sr/V@300kV； 1.2束斑/束流： ≥30pA @50pm或≥0.6nA @ 0.136nm； 1.3最大束斑漂移：≤0.5nm/min； 1.4 加速電壓：最高加速電壓300KV； 1.5 分辨率 1.5.1 圖像分辨率：≤60pm @300kV； 1.5.2 STEM分辨率：≤60pm @300kV； 1.6 一體化球差校正器 1.6.1 配置有物鏡球差校正器； 1.6.2 配置有聚光鏡球差校正器； 1.7 洛侖茲透鏡: 配置洛侖茲透鏡，保證在無場環境下對磁場結構的觀察； 1.8真空系統: 鏡筒優于2×10-5 Pa，電子槍優于10-8 Pa數量級； 1.9 掃描透射系統(STEM): 集明場(BF)、環形明場(ABF)、環形暗場(ADF)、低角環形暗場（LAADF）、高角環形暗場(HAADF) 探頭，或全新高角環形暗場探測器（Perfect Sight HAADF）； 1.10 樣品臺及樣品桿 1.10.1 最大傾斜角度：± 70°； 1.10.2 單傾樣品桿； 1.10.3 大視野低背景雙傾樣品桿一根，最大傾斜角度：± 30°/ ±27°，； 1.10.4 樣品移動范圍：X/Y：≥1mm；Z：≥0.2mm； 1.11 圖像記錄裝置 1.11.1 配置TEM一體化底插CMOS相機4,096×4,096像素；像素大小：≥15um×15um；或GATAN Rio1816 相機； 2. 一體化能譜儀EDS 2.1 積靴內可插拔設計，固體角大于4.0或探測器面積≥300mm2 ； 2.2 元素分析范圍：從B(5)–Am(95)； 2.3 能量分辨率：≤136eV（Mn-Ka，10kcps）； 2.4 最大輸出計數率：≥ 1500kcps； 2.5 峰背比≥4000:1 @Ni K peak； 3. 制樣系統雙束電鏡主機系統1套； 3.1離子束分辨率：≤4.0nm @ 30kV； 3.2最佳工作距離電子束分辨率：1.2nm @ 15kV；1.6nm @ 1kV（二次電子）； 3.3 電子束加速電壓：0.2kV–30 kV； 3.4 離子束加速電壓：1kV–30 kV； 3.5 Ga離子束流強度：1pA – 90nA； 3.6 電子束束流強度：1pA-170nA； 4. 能量過濾分析系統； 4.1基本功能：最新一代的能量過濾系統，包括能量過濾透射電鏡成像(Energy Filtered TEM, EFTEM)和電子能量損失譜(EELS)分析。 4.2 能量過濾器主機：標配1)高速2k x 2k x 18μm CMOS探測器，2）BF/DF探測器，3）100nS級高速靜電快門，4）雙EELS探測系統，5)實時零損峰(ZLP)校正，6）自動動態聚焦控制，7）實時STEM EELS面分布等； 4.3 STEM和Spectrum Imaging(SI)：將所有STEM探頭集成于STEMPack，并達到8000譜/秒的采譜速度； 4.4 配置清單：能量過濾器主機(1065)，STEMPack 高級選項及相關的軟件；