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本發(fā)明公開(kāi)了一種激光輔助低溫生長(zhǎng)氮化物材料的方法及裝備， 該方法將非氮元素的前驅(qū)體蒸汽和活性氮源前驅(qū)體氣體分別輸送到反 應(yīng)腔室內(nèi)溫度為 250 至 800℃的襯底材料處，利用波長(zhǎng)與活性氮源分 子鍵共振波長(zhǎng)相等的激光束作用于活性氮源氣體，使激光能量直接耦 合至活性氮源氣體分子，加速 NH 鍵的斷裂，提供充足的活性氮源， 使非氮元素與活性氮源發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，沉積第 III 族氮化物膜層材料， 持續(xù)作用直到沉積物覆蓋整個(gè)襯底

項(xiàng)目簡(jiǎn)介 提供列車(chē)車(chē)軸激光熔覆修復(fù)的合金粉未的制備方法，該方法操作簡(jiǎn)單、制備方便、成本低、適用于工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)。 一種列車(chē)車(chē)軸激光熔覆修復(fù)的合金粉未，該合金粉未具有工藝可控性好、修復(fù)后其微觀組  &n

徹底解決了傳統(tǒng)鑄造工藝的所有弊端和缺陷。

第二代桌面型激光加工系統(tǒng) LPKF ProtoLaser H4 實(shí)驗(yàn)室加工升級(jí)解決方案 將厚板甚至多層板的機(jī)械鉆孔優(yōu)勢(shì)與高速、無(wú)應(yīng)力的激光圖形加工優(yōu)勢(shì)集成在一臺(tái)桌面型加工系統(tǒng)中。 常見(jiàn)電路板材料的圖形快速加工 無(wú)機(jī)械應(yīng)力，掃描電鏡引導(dǎo)激光精確加工幾何圖形 厚板通過(guò)機(jī)械方式實(shí)現(xiàn)鉆孔和透銑 結(jié)構(gòu)安全、緊湊的桌面型系統(tǒng)：適用于實(shí)驗(yàn)室環(huán)境，激光安全等級(jí)Ⅰ級(jí) 智能直觀的一體化操作軟件LPKF CircuitPro RP 快速制作，加工材料廣泛，實(shí)驗(yàn)室高可靠性加工方案！ 基于LPKF ProtoLaser 激光直寫(xiě)系統(tǒng)與LPKF ProtoMat機(jī)械系統(tǒng)的多年實(shí)踐驗(yàn)證，LPKF推出了激光與機(jī)械結(jié)合的第二代解決方案LPKF ProtoLaser H4，該型號(hào)結(jié)構(gòu)緊湊、更加經(jīng)濟(jì)，效率也更高，在CircuitPro智能軟件的助力下，將CAD數(shù)據(jù)導(dǎo)入，激光加工與機(jī)械加工自動(dòng)無(wú)縫對(duì)接，直接完成電路板的全部加工步驟。 最新一代的桌面型入門(mén)激光加工系統(tǒng)，內(nèi)置電腦以及操作軟件，即插即用。 僅需連接電源插座，壓縮空氣以及吸塵器即可加工標(biāo)準(zhǔn)單面/雙面FR4基材，單面RF、PTFE或者陶瓷基板，也可實(shí)現(xiàn)柔性基材如PET膜上的鋁箔100 μm/50 μm的線(xiàn)寬/間距。系統(tǒng)配置了真空吸附臺(tái)，柔性基材和箔片材料可任意放置，確保將其輕松固定在工作臺(tái)表面。 操作簡(jiǎn)單 視覺(jué)校準(zhǔn)、材料厚度測(cè)量、六個(gè)機(jī)械刀具位以及大量軟件定義的激光工具和預(yù)置大量材料參數(shù)庫(kù)供參考，LPKF ProtoMat H4幾乎無(wú)需用戶(hù)人工干預(yù)即可自動(dòng)運(yùn)行。 結(jié)構(gòu)緊湊加工效率高 ProtoLaser H4第二代桌面型激光系統(tǒng)，僅需一個(gè)電源插座和壓縮空氣即可運(yùn)行。系統(tǒng)配備了大理石操作臺(tái)面，激光安全等級(jí)為一級(jí)，無(wú)需其他防護(hù)措施。  

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GB/T50082-2009，JC/T 2630-2021，JTG3420-2020 耐爾得自主研發(fā)的“非接觸法激光收縮膨脹測(cè)定儀_NELD-LS730”作為本次標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)范性收縮率試驗(yàn)方法中的試驗(yàn)驗(yàn)證儀器。本品采用進(jìn)口激光傳感器，設(shè)計(jì)了靈活多角度的測(cè)試平臺(tái)，10.8寸觸摸屏，嵌入式測(cè)試軟件，滿(mǎn)足1-6通道的測(cè)量，并具備任意雙通道測(cè)量橫向試件，單通道縱向測(cè)量水泥等膠凝材料的早齡期自由收縮，非接觸測(cè)距12mm，精度1μm，有利于科研單位對(duì)數(shù)據(jù)精度提高的實(shí)現(xiàn)。

本發(fā)明提供了一種基于InDel分子標(biāo)記鑒定辣椒雄性不育三系配套雜交種真實(shí)性和純度的方法。其方法為：將辣椒雜交種和親本培育至芽苗期，提取DNA，應(yīng)用核心引物對(duì)雜交種和親本進(jìn)行篩選，只有共顯性標(biāo)記的引物可以作為該雜交種真實(shí)性鑒定的分子標(biāo)記。若辣椒雜交種和親本在核心引物庫(kù)中無(wú)法篩選出共顯性標(biāo)記，則結(jié)合次級(jí)核心引物庫(kù)中繼續(xù)篩選，直至篩選出共顯性標(biāo)記。本發(fā)明建立的快速、同時(shí)鑒定辣椒雄性不育三系配套雜交種真實(shí)

清華大學(xué)化學(xué)工程系魏飛團(tuán)隊(duì)在亞納米尺度下原位研究分子吸附擴(kuò)散機(jī)制領(lǐng)域取得重要進(jìn)展。該團(tuán)隊(duì)采用皮米電鏡原位成像策略，實(shí)現(xiàn)了分子篩中小分子吸脫附行為和分子篩骨架結(jié)構(gòu)動(dòng)態(tài)演變的原位實(shí)時(shí)觀測(cè)，首次發(fā)現(xiàn)了剛性分子篩的亞單胞拓?fù)淙嵝越Y(jié)構(gòu)特點(diǎn)，揭示了分子擴(kuò)散突破孔徑限制的微觀機(jī)制，豐富了對(duì)分子篩擇形催化與限域效應(yīng)的理解。

清華大學(xué)電機(jī)系易陳誼課題組采用真空熱蒸發(fā)鍍膜與傳統(tǒng)溶液法相結(jié)合的工藝制備高質(zhì)量鈣鈦礦薄膜，突破了目前無(wú)甲胺銫甲脒鉛鹵鈣鈦礦（銫甲脒鈣鈦礦）太陽(yáng)能電池效率的最高記錄。

熱噴涂是通過(guò)對(duì)傳統(tǒng)激光熔覆的光學(xué)準(zhǔn)直、聚焦和整形以及與之配合送粉頭的重新設(shè)計(jì)從而實(shí)現(xiàn)均勻薄涂層的高速熔覆技術(shù)，目前受到廣泛關(guān)注。由于兼具熱噴涂快速沉積涂層特性以及激光熔覆冶金結(jié)合的特點(diǎn),有望成為規(guī)則表面實(shí)現(xiàn)替代電鍍硬鉻的新方法。冷噴涂是利用超音速氣流獲得高速粒子使其通過(guò)固態(tài)塑性變形沉積而制備技術(shù)的方法。超高速激光熔覆相比于傳統(tǒng)激光熔覆，激光能量主要作用粉末，能量分配：基材 20%，粉末 80%，粉末溫度高于熔點(diǎn)，修復(fù)產(chǎn)品表面粗糙度可小于 20 微米，修復(fù)厚度可低至 30 微米。