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已有樣品/n基于HZO鐵電FinFET的混合存儲器件。該器件在電荷俘獲模式下，表現出高耐 久性（>1012），高操作速度（<20ns），良好的數據保持特性（104@85oC），與DRAM 的性能相近，為在SOC芯片及CPU芯片中集成嵌入式DRAM提供了可能。當器件工作在 電籌翻轉模式下的時候，器件表現出非常好的數據保持特性（>10年）以及對讀取 信號串擾的免疫能力，使該器件同時具有優越的不揮發存儲特性。

已有樣品/n通過石墨烯缺陷工程控制活性電極離子向阻變功能層中注入的路徑尺寸和數量，集中化/離散化陽離子基阻變器件中導電通路的分布來調控其穩定性,此工作是該領域首次在相同結構阻變器件中實現電流-保持特性的雙向調控，這種通用的基于二維材料阻擋概念的離子遷移調控方法，也能夠移植應用到離子電池，離子傳感等研究領域。

小試階段/n特點及用途：本產品為新型高效無磷阻垢緩蝕劑，屬于水處理劑類的環境友好型產品，2011年獲得國家授權發明專利（專利號：ZL200910063243.9）。該產品主要用于各類工業冷卻循環水管的防腐和阻垢處理。特別是用于各種火力發電廠、鋼鐵廠等工業循環冷卻水中碳鋼設備的防腐阻垢處理，以取代傳統含磷的阻垢緩蝕劑。因為磷是造成水體富營養化污染的主要原因（如太湖、滇池污染等均由磷所引起），從而避免了因磷而引起的水體富營養化污染，使環境更加友好，并且產品的性價比較傳統的磷系阻垢緩蝕劑更高，具有廣闊的市

目前，國內外用于滅火劑的阻惰化性能測試的實驗系統因實驗室而異。由于各個實驗室的研究背景、研究方向和研究手段不同的原因，已開發的實驗系統功能比較單一，無法對滅火劑的阻惰化性能進行多角度、全方位的考察。已有的實驗系統主要是以滅火測試平臺為主，滅火測試平臺主要分為燃燒系統和滅火劑釋放系統，系統僅僅是記錄不同滅火劑撲滅不同燃料火災所需要的時間，并以此作為評價滅火劑性能的標準。

目前，國內外用于滅火劑的阻惰化性能測試的實驗系統因實驗室而異。由于各個實驗室的研究背景、研究方向和研究手段不同的原因，已開發的實驗系統功能比較單一，無法對滅火劑的阻惰化性能進行多角度、全方位的考察。已有的實驗系統主要是以滅火測試平臺為主，滅火測試平臺主要分為燃燒系統和滅火劑釋放系統，系統僅僅是記錄不同滅火劑撲滅不同燃料火災所需要的時間，并以此作為評價滅火劑性能的標準。

本發明提出了一種低熱阻熱界面制備方法，首先在襯底上制備定向生長碳納米管(VACNT)，然后對VACNT 進行改性和磁化，接著通過磁對準提高 VACNT 與目標襯底間的接觸幾率，最后利用鍵合技術實現 VACNT 與目標襯底間的鍵合。由于磁力和壓力的共同作用，VACNT 與目標襯底間形成了保形接觸，從而有效降低了界面接觸熱阻。本發明解決了 VACNT 直接作為熱界面材料的難題，為納米封裝與互連、低熱阻封裝技術研發開辟了新思路，對促進光電集成技術發展和功率器件的研發具有推動作用

???? Zc25系列緣電絕阻表用于測量各種電機、電纜、變壓器、電訊元器件家用電器和其他電氣設備和絕緣電阻。

最近以來，LED照明以其節能環保等優點，獲得了大規模的應用。以氮化物結構陶瓷相關材料（如AlN，Si3N4）為寄出的氧氮化物熒光粉在保持了高溫、化學和力學穩定性的基礎上，還具有較為優異的光轉換性能，贏得了越來越廣泛的關注。其中， 有潛力應用在紫外激發的白光LED上的Eu2+摻雜AlN藍色熒光粉不僅具有較高的光量子效率，而且與常用的熱淬滅嚴重的BaMgAl10O17:Eu2+ (BAM)相比，具有很高的熱穩定性。但是，目前報道的Eu2+摻雜AlN藍色熒光粉的制備方法（如Dierre B, Yuan X L, Inoue K等， J. Am. Ceram Soc, 2009, 92 (6):1272-1275；Hirosaki N, Xie R J, Inoue K等，Appl. Phys. Lett. , 2007, 91(6): 061101）都是采用高純度氮化物粉體在高溫下通過固相反應合成，要求2050℃的高溫下，10個大氣壓的氮氣壓力，保溫4個小時以上獲得，粉體還要在保護環境中球磨粉碎由于高溫產生的團聚，成本及其高昂，且顆粒尺寸控制困難。探索能夠得到高純度、粒徑均勻可控、發光性能好的熒光粉且成本低的合成方法，對于這類新型材料的研究、應用都具有重要意義。 目前， AlN的合成方法主要有以下幾種: 鋁粉直接氮化法、碳熱還原法、氣相還原氮化法、裂解法、等離子體法、電弧熔煉法、自蔓延高溫合成法、微波合成法，其中前兩種方法已經應用于工業化大規模生產。比較而言，鋁粉直接氮化法為強放熱反應,反應不易控制，反應過程中放出的大量熱易使鋁形成融塊，造成反應不完全，難以制備高純度、細粒度的產品；碳熱還原法制備的氮化鋁粉末純度高、性能穩定、粉末粒度細小均勻、成形和燒結性能良好，但是因為反應物中必須加入稍過量的碳以保證反應完全，這種方法難以避免碳的殘留；而氣相還原氮化法制得的AlN純度高、粉末粒度細小均勻并且大大減少了碳的殘留。而在制備氮化鋁前驅體時溶膠-凝膠法又以成分易分布均勻、顆粒細小勝過固相混合法。我們首次利用檸檬酸做絡合劑，通過溶膠凝膠法制備Eu2O3和Al2O3均勻混合的反應前驅體，結合氣相還原氮化法的方法來合成AlN：Eu2+熒光粉，如下圖。這種制備方法成本低，且具有很強的普適性，可應用于合成其他高純氮化物應該材料。 該方法解決了生產氮化物熒光材料中需要高純氮化物作為起始粉料成本高等劣勢，利用價格低廉，原料易得的氧化物作為原料，合成出所需的氮化物熒光材料。而且此方法反應活性高，低溫下得到顆粒大小均勻，發光穩定可控的發光材料，節約后處理成本。

項目采用了中山大學自主研發的低損耗低應力超低溫氮化硅材料平臺，研制了一系列光子集成的關鍵 器件

最近以來，LED照明以其節能環保等優點，獲得了大規模的應用。以氮化物結構陶瓷相關材料（如AlN，Si3N4）為寄出的氧氮化物熒光粉在保持了高溫、化學和力學穩定性的基礎上，還具有較為優異的光轉換性能，贏得了越來越廣泛的關注。其中， 有潛力應用在紫外激發的白光LED上的Eu2+摻雜AlN藍色熒光粉不僅具有較高的光量子效率，而且與常用的熱淬滅嚴重的BaMgAl10O17:Eu2+ (BAM)相比，具有很高的熱穩定性。但是，目前報道的Eu2+摻雜AlN藍色熒光粉的制備方法（如Dierre B, Yuan X L, Inoue K等， J. Am. Ceram Soc, 2009, 92 (6):1272-1275；Hirosaki N, Xie R J, Inoue K等，Appl. Phys. Lett. , 2007, 91(6): 061101）都是采用高純度氮化物粉體在高溫下通過固相反應合成，要求2050℃的高溫下，10個大氣壓的氮氣壓力，保溫4個小時以上獲得，粉體還要在保護環境中球磨粉碎由于高溫產生的團聚，成本及其高昂，且顆粒尺寸控制困難。探索能夠得到高純度、粒徑均勻可控、發光性能