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基于有機-無機納米復(fù)合材料制備了一種柔性 的太赫茲完美吸收器，吸收頻寬 0.1-20 THz，平均吸收率超過 95%，工作頻寬達(dá) 到世界領(lǐng)先水平。適用于太赫茲隱身、太赫茲黑體等設(shè)備的制備。

本研究成果是開發(fā)鋅池合金元素的檢測與控制系統(tǒng)及成分與工藝優(yōu)化技術(shù)，解決鍍鋅合金生產(chǎn)及連續(xù)鍍鋅鋅池中的化學(xué)成分的實時控制與鋅渣控制問題；建立連續(xù)鍍鋅鍍層的界面反應(yīng)和合金化過程模擬分析系統(tǒng)，解決鍍層粘附性不良、易粉化等質(zhì)量問題。通過開發(fā)現(xiàn)代熱浸鍍鋅關(guān)鍵工藝技術(shù)和新型鍍鋅合金產(chǎn)品，提高鍍鋅產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)效率。相關(guān)成果已獲國家發(fā)明專利授權(quán)7項，該技術(shù)為國內(nèi)領(lǐng)先。 利用本研究成果，結(jié)合連續(xù)熱鍍鋅生產(chǎn)線的情況，可降低鋅渣產(chǎn)量，提高熱鍍鋅板表面質(zhì)量。希望與熱浸鍍鋅企業(yè)進行合作。

明池玻璃股份有限公司位于山東省威海市南海新區(qū)小觀鎮(zhèn)明池路3號。地處黃海之濱，郁郁蔥蔥的萬畝環(huán)海松林，天然的黃金沙灘，浩瀚的大海，藍(lán)藍(lán)的天空，微微的海風(fēng)，崛起的花園式環(huán)保新城，為公司的發(fā)展帶來了無限的商機和得天獨厚的環(huán)境優(yōu)勢。 公司占地面積6.7萬平方米，注冊資金11599萬元。公司擁有多種玻璃深加工的設(shè)備和技術(shù)，匯集了玻璃深加工領(lǐng)域的眾多出色技術(shù)人員和一批高素質(zhì)的員工隊伍，是中國建筑玻璃與工業(yè)玻璃協(xié)會會員、威海市百強民營企業(yè)、 “山東省認(rèn)定企業(yè)技術(shù)中心”、“國家高新技術(shù)企業(yè)”,被評為中國玻璃深加工行業(yè)30強.產(chǎn)品被評為“山東省名牌產(chǎn)品”、“山東省著名商標(biāo)”。                      公司自創(chuàng)立以來，以其優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品，用戶至上的經(jīng)營理念，可靠的自動化生產(chǎn)設(shè)備和技術(shù)，完善的售后服務(wù)贏得了廣大用戶的信賴。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

電機系李琦副教授、何金良教授等在《自然·通訊》（Nature Communications）期刊上發(fā)表了題為“基于聚合物-分子半導(dǎo)體全有機復(fù)合材料的高溫電容薄膜”（Polymer/molecular semiconductor all-organic composites for high-temperature dielectric energy storage）的研究論文，首次研制出 200 攝氏度高效介電儲能的全有機復(fù)合薄膜。這類全有機復(fù)合介電材料在 200 攝氏度高溫條件下的介電儲能性能不僅遠(yuǎn)超過目前最好的高溫聚合物及聚合物納米復(fù)合介電材料，并接近商業(yè)化聚合物電容薄膜室溫下性能；在大幅提升高溫介電儲能特性的同時還實現(xiàn)了大面積、性能均勻的薄膜制備，為實現(xiàn)薄膜電容器在 200 攝氏度嚴(yán)酷溫度環(huán)境下應(yīng)用提供了可能。 聚合物薄膜電容器具有介電強度高、能量損耗低以及自愈性好等優(yōu)點，在全球工業(yè)電容器市場占有率超過其它類型電容產(chǎn)品。然而，聚合物介電材料的絕緣性能對溫度極其敏感，在高溫、高電場作用下泄漏電流呈指數(shù)上升、放電效率急劇下降，最終造成電容器過熱損壞。目前主流商業(yè)薄膜電容器僅在 105 攝氏度以下工作，長期工作溫度低于 70 攝氏度。另一方面，隨著電子器件和電力、能源設(shè)備功率不斷增大以及對小型化和緊湊型功率模塊的持續(xù)追求，電子材料的工作溫度要求快速提高，薄膜電容器介電材料已成為高溫電子器件和設(shè)備的技術(shù)瓶頸。 該論文采用了一種與前期方法截然不同的技術(shù)路線——利用有機光伏中電子受體材料的強得電子能力，實現(xiàn)了在高溫聚合物中構(gòu)筑深電荷陷阱。這種有機分子半導(dǎo)體型的電子受體材料具有極高的電子親和能，被廣泛應(yīng)用于有機光伏中激子在異質(zhì)結(jié)界面高效分離。它們可通過其表面靜電勢分布的極不均勻特性，對自由電子產(chǎn)生強束縛作用。通過向耐熱聚合物中摻雜極少量高電子親和能有機分子半導(dǎo)體制備了全有機復(fù)合高溫介電材料。這類材料在 200 攝氏度和 200kV/mm 電場條件下，電阻率比高溫聚合物提升兩個數(shù)量級以上；200 攝氏度、放電效率90%以上的能量密度是目前最好的聚合物高溫介電材料的 2.3 倍。此外，全有機復(fù)合體系解決了傳統(tǒng)有機-無機復(fù)合體系中高表面能粒子分散不均和引入界面缺陷等問題，在薄膜品質(zhì)和規(guī)模化制備等方面具有顯著優(yōu)勢。

本實用新型公開了一種采用全固態(tài)薄膜鋰電池的背包內(nèi)嵌儲能裝置無線充電系統(tǒng)，包括發(fā)射單元和 接收單元，發(fā)射單元包括第一 AC-DC 模塊、DC-DC 模塊、高頻逆變模塊、第一控制器、第一檢測電路、 第二檢測電路和發(fā)射機構(gòu)；接收單元包括接收機構(gòu)、第二 AC-DC 模塊、第三檢測電路、第二控制器和 儲能單元，儲能單元為全固態(tài)薄膜鋰離子電池。本實用新型采用磁耦合諧振式無線電能傳輸技術(shù)實現(xiàn)儲 能單元的無線充電，大大地簡化了充電過程，可有效避免因遺忘而未對背

 1、主要功能和應(yīng)用領(lǐng)域 針對太赫茲高分辨雷達(dá)和通信系統(tǒng)應(yīng)用需求，研究了常溫固態(tài)太赫茲連續(xù)波發(fā)射和接收的總體方案和實現(xiàn)技術(shù)，研究了太赫茲平面肖特基勢壘二極管非線性模型的精確模型，提出了太赫茲高效倍頻電路和低損耗分諧波接收電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，掌握了太赫茲倍頻器和分諧波混頻器的優(yōu)化方法，解決了固態(tài)太赫茲關(guān)鍵技術(shù)的工藝難題，突破太赫茲連續(xù)波發(fā)射和接收的關(guān)鍵技術(shù)，打破國外技術(shù)封鎖，提高自主創(chuàng)新能力，形成自主知識產(chǎn)權(quán)，相關(guān)技術(shù)水平達(dá)到國際先進，為我國太赫茲技術(shù)的發(fā)展和太赫茲系統(tǒng)的應(yīng)用奠定技術(shù)基礎(chǔ)，提供技術(shù)支撐。 2、特色和先進性 1）國內(nèi)首次報道了400GHz以上頻段的太赫茲源，輸出功率大于5mW 2）首次開展了太赫茲高功率多管芯二極管的三維電磁模型研究； 3）國內(nèi)首次報道了220GHz、380GHz和664GHz分諧波混頻器，變頻損耗指標(biāo)由于10dB； 4）國內(nèi)首次開展了基于光電結(jié)合的太赫茲高速無線通信系統(tǒng)實驗，通信速率大于12.5Gbps； 5）太赫茲核心模塊已應(yīng)用于太赫茲成像和通信系統(tǒng)中。 3、技術(shù)指標(biāo) 太赫茲倍頻器指標(biāo)對比 頻段 國外研究機構(gòu) 電子科技大學(xué) 美國VDI FARRAN 仿真 實測 59GHz 26dBm 20dBm 23dBm 17dBm 91.5GHz 22dBm 15dBm 16dBm 13dBm 110GHz 20dBm 12dBm 16dBm 12.5dBm 212.5GHz 15dBm 4dBm 13dBm 7dBm 340GHz 15dBm 4dBm 13dBm 4.5dBm 420GHz 9.5dBm 無 12dBm 4dBm 太赫茲分諧波混頻器指標(biāo)對比

成果簡介： 1、主要功能和應(yīng)用領(lǐng)域 針對太赫茲高分辨雷達(dá)和通信系統(tǒng)應(yīng)用需求，研究了常溫固態(tài)太赫茲連續(xù)波發(fā)射和接收的總體方案和實現(xiàn)技術(shù)，研究了太赫茲平面肖特基勢壘二極管非線性模型的精確模型，提出了太赫茲高效倍頻電路和低損耗分諧波接收電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，掌握了太赫茲倍頻器和分諧波混頻器的優(yōu)化方法，解決了固態(tài)太赫茲關(guān)鍵技術(shù)的工藝難題，突破太赫茲連續(xù)波發(fā)射和接收的關(guān)鍵技術(shù)，打破國外技術(shù)封鎖，提高自主創(chuàng)新能力，形成自主知識產(chǎn)權(quán)，相關(guān)技術(shù)水平達(dá)到國際先進，為我國太赫茲技術(shù)的發(fā)展和太赫茲系統(tǒng)的應(yīng)用奠定技術(shù)基礎(chǔ)，提供技術(shù)支撐。 2、特色和先進性 1）國內(nèi)首次報道了400GHz以上頻段的太赫茲源，輸出功率大于5mW 2）首次開展了太赫茲高功率多管芯二極管的三維電磁模型研究； 3）國內(nèi)首次報道了220GHz、380GHz和664GHz分諧波混頻器，變頻損耗指標(biāo)由于10dB； 4）國內(nèi)首次開展了基于光電結(jié)合的太赫茲高速無線通信系統(tǒng)實驗，通信速率大于12.5Gbps； 5）太赫茲核心模塊已應(yīng)用于太赫茲成像和通信系統(tǒng)中。 3、技術(shù)指標(biāo) 太赫茲倍頻器指標(biāo)對比 頻段 國外研究機構(gòu) 電子科技大學(xué) 美國VDI FARRAN 仿真 實測 59GHz 26dBm 20dBm 23dBm 17dBm 91.5GHz 22dBm 15dBm 16dBm 13dBm 110GHz 20dBm 12dBm 16dBm 12.5dBm 212.5GHz 15dBm 4dBm 13dBm 7dBm 340GHz 15dBm 4dBm 13dBm 4.5dBm 420GHz 9.5dBm 無 12dBm 4dBm 太赫茲分諧波混頻器指標(biāo)對比

本發(fā)明涉及的是基于多目標(biāo)優(yōu)化的頻譜池干擾抑制方法,這種基于多目標(biāo)優(yōu)化的頻譜池干擾抑制方法為:步驟一,在頻譜池中,確定影響授權(quán)用戶的平均ICI能量;步驟二,獲得認(rèn)知用戶第

基于傳統(tǒng)農(nóng)村戶用沼氣池因產(chǎn)氣率低、漏水漏氣嚴(yán)重、冬季無法 使用的現(xiàn)狀，課題組經(jīng)連續(xù)多年的研發(fā)和創(chuàng)新，設(shè)計出了新型戶用沼 氣池，并獲得國家發(fā)明專利授權(quán)、國內(nèi)外 6 項獎項，發(fā)表 SCI 和 EI 論文５篇。該沼氣池在非洲的利比里亞和我省先后建設(shè)了 5086 座， 并被科技部推廣到發(fā)展中國家，獲得了用戶、政府部門和發(fā)展中國家的高度評價。