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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
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碳化硅提純工藝信息化管理子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和研制
碳化硅微粉的提純工藝要求實(shí)時(shí)在線監(jiān)測(cè)提純罐中微粉溶液的溫度、液位、攪拌機(jī)時(shí)間等參量；如果分別選購(gòu)市場(chǎng)上已有的數(shù)字化測(cè)溫儀、液位計(jì)和攪拌機(jī)運(yùn)動(dòng)監(jiān)測(cè)（如轉(zhuǎn)速）儀表分別監(jiān)測(cè)相關(guān)參量，還需另外選購(gòu)工業(yè)控制計(jì)算機(jī)（車間環(huán)境溫度夏季高達(dá)50℃以上，普通PC機(jī)無(wú)法勝任），以便把測(cè)溫儀、液位計(jì)和（攪拌機(jī)）運(yùn)動(dòng)監(jiān)測(cè)的信號(hào)實(shí)時(shí)采集和存儲(chǔ)。此方案不僅成本高，而且占用車間生產(chǎn)、物流空間較多，將對(duì)車間正常生產(chǎn)帶來(lái)嚴(yán)重影響；為此（受連云港樂園磨料磨具有限公司委托）我們以增強(qiáng)型嵌入式微控制器AT89S52為核心，自行設(shè)計(jì)研制了集提純罐溶液溫度、液位、攪拌機(jī)監(jiān)測(cè)與提純工藝管理于一體的智能化多參量監(jiān)測(cè)儀。該儀器支持時(shí)下流行的在系統(tǒng)編程（In-SystemProgramming）下載技術(shù)，便于今后的程序升級(jí)；采用液晶顯示器和鍵盤作為人機(jī)接口；采用Flash存儲(chǔ)器AT29C010A作數(shù)據(jù)備份之用；采用一主多從的方式通過RS-485總線協(xié)議實(shí)現(xiàn)分布式結(jié)點(diǎn)與上位機(jī)的通信，具有良好的抗干擾能力。
東南大學(xué)
2021-04-10
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冶煉碳化硅的多芯爐及其生產(chǎn)碳化硅的方法
碳化硅的工業(yè)生產(chǎn)，國(guó)內(nèi)外一直沿用 100 多年前 Acheson 發(fā)明的單爐芯技術(shù)，該法能耗高、產(chǎn)品品質(zhì)差、環(huán)境污染大、生產(chǎn)不安全、單爐產(chǎn)量小，因而生產(chǎn)效率低，產(chǎn)品市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力差。高品質(zhì) SiC 新材料市場(chǎng)奇缺，嚴(yán)重制約了其在諸多高新技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用。 1995 年以來(lái)，課題組對(duì)以往國(guó)內(nèi)外 SiC 生產(chǎn)爐的結(jié)構(gòu)、生產(chǎn)技術(shù)和工藝進(jìn)行了全面深入的調(diào)查、經(jīng)多年潛心研究，創(chuàng)立了多熱源多向流合成碳化硅理論體系，發(fā)明了 “ 冶煉碳化硅的多爐芯爐及其生產(chǎn)碳化硅的方法 ” 新技術(shù)。該技術(shù)獲國(guó)家發(fā)明專利授權(quán) 1 項(xiàng)，獲西安市科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)、陜西省科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)以及陜西省職工優(yōu)秀發(fā)明創(chuàng)新成果金獎(jiǎng)。已在國(guó)內(nèi)陜西、青海、寧夏、新疆、福建等地建成生產(chǎn)線 10 余條，占據(jù)我國(guó) SiC 產(chǎn)能的 1/4 ，創(chuàng)產(chǎn)值 30 億余元，有力地推動(dòng)了行業(yè)技術(shù)進(jìn)步。
西安科技大學(xué)
2021-04-11
碳化硅襯底晶片
碳化硅襯底晶片及其功率器件● 襯底晶片應(yīng)用：高端照明、SiC外延片、GaN外延片、PSS襯底等● 新能源汽車應(yīng)用：電動(dòng)汽車電驅(qū)系統(tǒng)功率器件、充電樁功率器件等● 軍工應(yīng)用：機(jī)載雷達(dá)通訊設(shè)備功率器件、微波通訊大功率器件等● 超高速集成電路：RFIC（射頻集成電路）、SOS 芯片、光通訊芯片、5G 技術(shù)等
青島嘉星晶電科技有限公司
2021-08-30
金剛砂（綠碳化硅）
產(chǎn)品應(yīng)用：半導(dǎo)體硅片和藍(lán)寶石晶體的線切割光學(xué)濾波片、石英鏡片的粗研磨工藝優(yōu)勢(shì)：我們提供的每一種研磨粉/砂都是經(jīng)過嚴(yán)格的粒徑控制和專業(yè)的加工工藝，在高切削力條件下保證加工表面具有較好的研磨效果，具有粒度均勻、純度高、可根據(jù)客戶個(gè)性要求單獨(dú)提供高精度微粉。碳化硅線切割產(chǎn)品特點(diǎn)：1、高純度、大結(jié)晶的碳化硅原材料，保證了碳化硅切割微粉的優(yōu)良切割性能和穩(wěn)定的物理狀態(tài)；2、粒度形狀為等積且刃鋒，保證了碳化硅微粉作為切割刃料的均衡性，從而保證被切割材料TTV的最小化；3、粒度分布集中并且均勻；4、有高熱震穩(wěn)定性和荷重軟化溫度，確保了在荷重切割時(shí)小線膨脹系數(shù)，保證切割的穩(wěn)定,并且同切割機(jī)有很好的適配性；5、表面經(jīng)過特殊處理，微粉具備大比表面積和清潔外表，與聚乙二醇等切削液有很好的適配性。碳化硅精磨產(chǎn)品特點(diǎn)：1、嚴(yán)格的粒度控制，降低了碳化硅微粒精磨過程的劃痕。2、按照歐洲標(biāo)準(zhǔn)和日本標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)，保證了產(chǎn)品的穩(wěn)定供應(yīng)。
山東麥豐新材料科技股份有限公司
2021-09-01
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合同管理信息化
成果簡(jiǎn)介合同管理是商務(wù)運(yùn)作中極其重要的一部分， 其管理的優(yōu)劣直接影響商務(wù)流程的順暢。 正是利用這一思想將合同管理納入計(jì)算機(jī)管理， 并設(shè)計(jì)為多用戶， 放在計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)上運(yùn)行， 并與財(cái)務(wù)、 庫(kù)房、 劃價(jià)、 銷售等于系統(tǒng)相互集成， 信息共享，實(shí)現(xiàn)合同簽訂、 履行、 變更到終止等全過程的跟蹤管理， 并為財(cái)務(wù)提供資金利用計(jì)劃， 充分利用有限的資金， 提高資金利用率。這一系統(tǒng)采用 VB 編寫， VB 對(duì)關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)提供全面的支持， VB 通過數(shù)據(jù)庫(kù)訪問控件與數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行數(shù)據(jù)交換， 并提供豐
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
科學(xué)技術(shù)大學(xué).jpg){kind=logo}
通訊波段碳化硅色心的室溫自旋操控
郭光燦院士團(tuán)隊(duì)的李傳鋒、許金時(shí)、王俊峰等人與其合作者在國(guó)際上首次實(shí)現(xiàn)了碳化硅中氮-空位（NV）色心的室溫相干操縱，并且實(shí)現(xiàn)了單個(gè)NV色心的可控制備和光探測(cè)磁共振譜的探測(cè)。這種色心的發(fā)光波長(zhǎng)在通訊波段，在量子通信和量子網(wǎng)絡(luò)中具有重要用途，基于這種色心自旋的量子器件十分適合光電集成以及產(chǎn)業(yè)化。該成果于2
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2021-01-12
碳纖維增強(qiáng)碳化硅陶瓷基復(fù)合材料
碳纖維增強(qiáng)碳化硅陶瓷基復(fù)合材料耐腐蝕、耐高溫、耐磨損、韌性高，能夠廣泛用于能源、交通、化工等領(lǐng)域的關(guān)鍵部件，比如摩擦制動(dòng)材料、耐化學(xué)腐蝕葉片等。
東南大學(xué)
2025-02-08
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一種碳化硅納米線的制備方法
本發(fā)明涉及一種碳化硅納米線的制備方法領(lǐng)域。本發(fā)明所述的碳化硅納米線的制備 方法如下：將不含氧的碳硅烷置于剛玉坩堝或剛玉舟內(nèi)，將剛玉坩堝或剛玉舟放在耐高 溫板上面，然后把耐高溫板推入高溫爐，排出爐內(nèi)氧氣，并以 6－15sccm 的速率通入惰 性氣體保護(hù)，以 5－15℃/min 的速度將爐溫升到 1000－1100℃，保溫 1－3 小時(shí)后自然 降到室溫。由本發(fā)明所述的碳化硅納米線的制備方法所得產(chǎn)物均為碳化硅納米線，長(zhǎng)度 比現(xiàn)有的方法制備的碳化硅納米線提高了 2 個(gè)量級(jí)，且制備方法簡(jiǎn)單，原料便宜易得， 設(shè)備要求簡(jiǎn)化，成本低。
同濟(jì)大學(xué)
2021-04-11
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碳化硅材料外延關(guān)鍵技術(shù)研究
小試階段/n本項(xiàng)目研究的碳化硅外延技術(shù)有其特殊性，不同于一般的半導(dǎo)體外延技術(shù)， SiC 外延生長(zhǎng)技術(shù)在生長(zhǎng)溫度、生長(zhǎng)速率、缺陷和均勻性控制的具體指標(biāo)要求以及實(shí)現(xiàn) 途徑上都突出了電力系統(tǒng)應(yīng)用的特點(diǎn)。目前，國(guó)際上已經(jīng)形成了從碳化硅襯底材料、 外延材料到器件制備的一整套產(chǎn)業(yè)體系。高質(zhì)量 SiC 外延材料是 SiC 功率器件的基 礎(chǔ)材料，目前的國(guó)內(nèi)外電力電子器件需要的碳化硅外延材料的發(fā)展趨勢(shì)都是向大直 徑、低缺陷、高度均勻性等方向發(fā)展。 目前，幾乎所有的碳化硅器件都是在碳化硅外延層上制備的。高質(zhì)量的碳化硅
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
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一種氮化硅或氮化硅/碳化硅復(fù)合粉體的制備方法
本發(fā)明具體涉及一種氮化硅或氮化硅/碳化硅復(fù)合粉體的制備方法。技術(shù)方案一：以20——30wt%的單質(zhì)硅和70——80wt%的堿金屬無(wú)機(jī)鹽為原料，再外加所述原料0——3wt%的催化劑，混合，干燥；然后在氮?dú)鈿夥蘸?200——1400℃條件下保溫2——5h，自然冷卻，洗滌，制得氮化硅粉體。技術(shù)方案二：以5——15wt%的含硅源的物質(zhì)、70——80wt%的堿金屬無(wú)機(jī)鹽和5——15wt%的碳黑為原料，再外加所述原料0——3wt%的催化劑，混合，干燥；然后在氮?dú)鈿夥蘸?200——1400℃條件下保溫2——5h，自然冷卻，洗滌，得到氮化硅/碳化硅復(fù)合粉體。本發(fā)明具有生產(chǎn)成本低、工藝簡(jiǎn)單和易于工業(yè)化生產(chǎn)的特點(diǎn)；所制備的氮化硅或氮化硅/碳化硅復(fù)合粉體粒度均勻、晶體形貌好和物相純度高。
（注：本項(xiàng)目發(fā)布于2015年）
武漢科技大學(xué)
2021-01-12