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發明公開了一種多功能環境試驗箱，包括：內部設置有電熱元件用于對空氣進行加熱的第一加熱箱；通過可實現空氣連通或封閉功能的阻隔裝置與所述第一加熱箱相連，且其內部設置有電熱元件和風扇用于對空氣進行加熱并將產生熱風的第二加熱箱；以及通過可實現打開和閉合功能的風道與第二加熱箱相連通，其內部設置有風扇和液氮分配器的測試箱。按照本發明的環境試驗箱，由于其加熱系統采用了兩個加熱箱和布置多個電熱元件的辦法，能夠實現快速加熱并通過液氮冷卻方式來實現快速冷卻。按照本發明的環境試驗箱能夠方便地實現溫度沖擊試驗、高低溫快速溫變試驗、高低溫循環試驗等不同的環境試驗功能，相應提高操作人員的便利性并降低設備購置成本。

ST STM32F103 CORTEX-M3 ARM教學實驗箱基于ST公司CORTEX-M3內核的ARM處理器STM32F103ZCT6，配以獨立的按鍵、矩陣鍵盤等輸入輸出設備，和數碼管、LED、LCD屏等顯示設備，以及RS232/I C/SPI/CAN等通信總線，使得學生們可以在該實驗箱上完整地學習基于STM32處理器的原理和實驗內容。

ST STM32F407 CORTEX-M4教學實驗箱基于ST公司CORTEX-M4內核的ARM處理器STM32F407ZGT6，配以獨立的按鍵、矩陣鍵盤等輸入輸出設備，和數碼管、LED、LCD屏等顯示設備，以及RS232/I C/SPI/CAN等通信總線，使得學生們可以在該實驗箱上完整地學習基于STM32處理器的原理和實驗內容。

XILINX 3S250E SPARTAN-3E FPGA教學實驗箱以XILINX SPARTAN-3E FPGA為主處理器，配以存儲器、ADC/DAC、RS232/RS422/IC/SPI/PS2等串行通信總線、LCD/LED/數碼管/VGA接口等顯示設備以及音頻/蜂鳴器/日歷/溫度/紅外等電路。同時，設備配備了EMOD擴展接口，增加了實驗的多樣性與創新性。

●8英寸觸屏操作，具有U盤數據直接導出功能 ●180℃高溫干熱滅菌，滅菌2小時，整個滅菌周期不超過12小時 ●內置HEPA高效空氣過濾器，針對0.3μm的顆粒物直徑攔截率≥99.9% ●PT1000高精度溫度傳感器，多重溫度全面監測 ●底盤水庫設計，蒸發面積大，濕度恢復速度快 ●主機自帶數據存儲功能，標配RS232接口，可直接連接Biolab物聯網云平臺系統，實現遠程監測

二氧化碳培養箱技術特點： 1.六面加熱的氣套式加熱系統 2.箱體體積151L 3.溫度控制范圍室溫+5℃-50℃ 4.CO2濃度控制范圍（%） 0~20 5.90℃高溫濕熱消毒功能；  6.TCD熱導式二氧化碳濃度傳感器，具有"Auto-start"功能； 7.三扇小門可減小開門取樣品時減少對箱內環境的影響； 8.采用PT1000高精度溫度傳感器； 9.采用底盤水庫設計； 10.二氧化碳培養箱具有門加熱裝置，可避免內門玻璃上形成冷凝水； 11.進氣口配有HEPA過濾器； 12.具有多重報警系統。

實驗箱簡介   產品鏈接：https://www.tronlongtech.com/products/38.html（點擊查看） 產品系列：C2000，Spartan-6匹配課程：《DSP技術與應用》，《FPGA技術與應用》處理器架構：DSP，FPGA TL28335F-TEB實驗箱整體主圖 · 基于TI TMS320F28335浮點DSP C28x + Xilinx Spartan-6 FPGA處理器，主頻為150MHz；· 可拆式新型實驗箱，使用靈活，性價比高。由核心板、實驗開發底板、仿真器及相關實驗配件組成，可選3寸全功能觸摸彩屏信號源；· DSP實驗主板支持：I2C、SPI、CAN、PWM、RTC、以太網口、音頻輸入輸出、多通道AD、DA、RS232、RS485、LCD等接口和蜂鳴器、紅外接收器、繼電器、LED等外設；· 工業級DSP核心板，尺寸為66mm*39mm，采用排針接口連接，可用于科學研究、畢業設計、電子競賽、產品開發使用；· FPGA實驗主板支持：步進電機、直流電機、4*4矩陣鍵盤、數碼管、十字交通燈、溫濕度傳感器、可調直流電壓輸出、ADC輸入、DAC輸出、5V輸出、3V3輸出；· 實驗主板上均支持安裝可拆卸亞克力保護板，保護實驗電路；· 工業級FPGA核心板，尺寸56mm*35mm，體積小，采用工業級B2B連接器；· 不僅提供面向教學的實驗資源，而且提供工程應用上的開發例程；· 適用于通信、自動化、測控、工業控制和電力控制等教學領域。   TL28335F-TEB實驗箱結構圖 28335F-DSP實驗主板硬件資源圖解1   28335F-DSP實驗主板硬件資源圖解2   28335F-FPGA實驗拓展板硬件資源圖解1 28335F-FPGA實驗拓展板硬件資源圖解2

本發明公開了一種基于開槽結構的四分之一模基片集成波導濾波器，包括四分之一模基片集成波導弧形腔，四分之一模基片集成波導弧形腔通過基片集成波導圓形腔沿任意兩條相互垂直的磁壁分割得到，四分之一模基片集成波導弧形腔包括介質基片，介質基片的上表面設有上金屬層，介質基片的下表面設有下金屬層，介質基片中沿四分之一模基片集成波導弧形腔的周向均勻分布有貫穿上金屬層和下金屬層的金屬通孔。本發明相對于傳統的基片集成波導圓形腔有效實現了小型化。并且，相對于傳統的多層結構，本發明結構簡單，加工方便。此外，相對于傳統的微帶結構，本發明的濾波器品質因數高，損耗小。

近日，上海交通大學電子系義理林教授課題組基于智能鎖模算法、時間拉伸技術和實時高速電路建立的實時光譜分析控制平臺，實現了鎖模激光器輸出飛秒脈沖的實時光譜調控，對飛秒激光器的設計具有重要的應用價值。相關成果以“Intelligent control of mode-locked femtosecond pulses by time-stretch-assisted real-time spectral analysis”為題目于2020年1月發表于國際光學頂尖期刊《Light: Science & Applications》（中科院長春光機所與Nature出版集團合辦期刊），并入選為封面文章，在“News & Views”欄目被專門評述。博士生蒲國慶為第一作者，義理林教授為通信作者。 圖說：期刊封面文章 飛秒尺度（1E-15秒）脈沖對應著原子分子、材料、生物蛋白、化學反應等豐富物質體系的眾多超快過程，有著廣泛而重要的應用。鎖模激光器作為產生飛秒脈沖的重要基礎研究工具，在物理、化學、生物、材料、信息科學等領域都有廣泛的應用。飛秒鎖模激光器自上世紀六十年代發明以來，與其相關的研究分別于1999，2005，2018年獲得過諾貝爾獎。 隨著超快光學的快速發展，越來越多的前沿應用需要對飛秒脈沖的時域和光譜進行精細控制。由于飛秒脈沖的產生涉及非常復雜的非線性和色散傳輸效應，達到特定脈沖狀態的穩態輸出需要對激光器多個參數在高維空間進行優化，傳統基于激光器光學設計和優化的方法已被證明難以精確實現。 通過對飛秒脈沖狀態進行智能識別，結合智能算法對激光器多參數進行全局優化，有望獲得理想的飛秒脈沖輸出，但其主要挑戰在于飛秒脈沖難以實時精確識別。低速時域采樣無法識別飛秒脈沖寬度和形狀，光譜儀雖可識別飛秒脈沖積分光譜但無法識別其瞬時光譜，因此傳統方法都無法做到實時控制飛秒脈沖精確鎖模狀態。為了解決這一難題，義理林教授課題組提出在鎖模控制環內引入時間拉伸-色散傅里葉變換（TS-DFT）技術，通過時域到光譜的轉換，采用低速時域采樣即可識別飛秒脈沖對應的瞬時光譜寬度和形狀。結合智能控制算法，實現了以1.4nm為精度對飛秒脈沖光譜寬帶從10nm到40nm進行可編程控制，光譜形狀可編程為高斯型或三角形等。這是本領域首次實現飛秒鎖模脈沖光譜寬度和形狀高精度實時編程控制，解決了飛秒鎖模脈沖鎖模狀態無法精確調控的難題。 基于實時的光譜控制，該研究還展示了從窄譜鎖模態至寬譜鎖模態以及從三角形光譜脈沖態至寬譜鎖模態的演變過程，發現兩者動力學過程具有相似性，提出了目標鎖模狀態可能決定中間動力學過程的猜想，為人們進一步探索鎖模激光器內部機理提供新視角。 圖說：基于快速光譜分析的飛秒鎖模脈沖智能控制 非線性光學著名專家John Dudley教授（歐洲物理學會主席，IEEE/OSA Fellow）在《Light: Science & Applications》的“News & Views”欄目撰文介紹此項工作，認為本工作極具創新性，開拓了研究鎖模動力學新的可能性，很可能應用于多種鎖模光纖激光器中。 義理林教授課題組過去六年來一直致力于解決飛秒鎖模激光器的智能控制問題，2019年發表在光學領域頂級期刊《Optica》的“智能鎖模激光器”成果入選美國光學學會旗下新聞雜志《Optics & Photonics News》2019年光學年度進展“Optics in 2019”。該方向工作部分得到國家自然科學基金（61575122）的支持。《Light: Science & Applications》論文全文https://www.nature.com/articles/s41377-020-0251-x《Light: Science & Applications》“New & Views”評述論文https://www.nature.com/articles/s41377-020-0270-7

本發明提供的具有高單縱模成品率的脊波導分布反饋(DFB)半 導體激光器，是由自下而上依次排列的 N 型電極(1)、襯底(2)、下包層 (3)、下分別限制層(4)、應變多量子阱有源層(5)、上分別限制層(6)、緩 沖層(7)、光柵層(8)、上包層(9)、第一脊條(10)、第二脊條(11)、第一 脊條上的 P 型電極(12)、第二脊條上的 P 型電極(13)組成。本發明通過 在單個半導體激光器管芯上制作端面反射率相位相差π/2 的兩個