新葡京娱乐场-大陆娱乐场开户注册

1.痛點問題 光刻膠作為集成電路制備中不可或缺的一部分，已成為國家的戰略資源之一。半導體光刻膠的核心在于成膜樹脂，受限于研發難度大、專利壁壘高、資金投入多、準入門檻高，目前國內企業尚難以突破KrF膠（248nm）或ArF膠（193nm），而EUV膠完全不能自主供給。 2.解決方案 本項技術采用了國際最前沿的納米氧化物團簇材料的工藝路線，可以實現單2nm小分子的光刻膠成膜樹脂材料，攻克了材料合成和納米材料提純的難題，可滿足目前半導體3nm制程節點的技術要求，RLS分辨率、邊緣粗糙度、靈敏度三項關鍵性能指標優異，其曝光劑量遠低于Intel公司提出的20mJ/cm2的成本線。此外，本項技術具有多種半導體光刻膠兼容性，可以生產248nm和193nm光源的半導體光刻膠成膜樹脂，以及電子束半導體掩膜用光刻膠成膜樹脂，具有廣闊的技術替代優勢和市場應用前景。 3.合作需求 本項技術已設立衍生企業，位于江蘇常州的3000m2研發生產中心正在建設中。 1）融資需求：本輪天使輪融資6000萬元。 2）資源對接需求：集成電路芯片制造、掩膜板生產企業，地方政府等。

成果簡介：高精度直驅伺服平臺是一種采用直線電機直接驅動的運動控制平臺，它改變過去依賴于機械轉換裝置才能將旋轉電機的旋轉運動轉化為直線 運動的約束，克服了傳統機械轉換機構的傳動鏈長、體積大、效率低、精度差等缺陷。直線電機結構類型廣泛，可針對不同安裝要求，選擇平板型、U 型、盤型及圓筒型等，同時行程范圍不受機械轉換裝置限制，可廣泛適用于 各種運動控制場合。采用直線電機驅動的高精度直驅伺服平臺，具有系統結 構簡單、環境適應能力強、效率高、動態性能好、定位精度高等優

平臺式全自動數控沖床，采用平臺式送料機，配置三工位直線模具，通過CAD畫圖軟件自動生成加工程序，操作簡單、方便，是一款簡易數控設備，價格相對較低；主要用于廣告行業、設備面板、電器元件安裝板、櫥具及機箱機柜等大小不同，形狀各異的孔型加工。

主要用于天文普及教學，能演示太陽系中太陽和九大行星等主要天體的相對位置、大小以及太陽系的結構關系。

箱體為手提式一體工程塑料制作完成，外觀尺寸（cm）：55*45*15主要配置及用材：背板（太陽，黑星際天空），行星模型（木星、土星、金星、地球、水星、火星、天王星、海王星），矮行星模型（冥王星、谷神星、齊娜），小行星模型（示意性的）。各種器材有序嵌放于珍珠棉發泡成型的空間內。

目前半導體光刻加工用的深紫外光刻膠都采用化學增幅體系，這種體系主要由含酸敏基團的成膜材料和光產酸劑組成，這種體系最大的問題是光產酸在后烘階段會發生酸遷移，導致光刻分辨率難以提高。能夠有效改善酸遷移問題的一種方法是采用高分子光產酸劑，且其光產酸是高分子強酸。 課題組研制了一系列新穎的含多種鎓鹽光產酸基團的苯乙烯衍生物及其與甲基丙烯酸酯的共聚物。它們在曝光過程中產生大分子的磺酸，因此可作為大分子光產酸劑與其它成膜材料一起組成化學增幅型光致抗蝕劑。 以之為產酸劑與其它部分保護的對羥基苯乙烯聚合物一起組成二組分的化學增幅型248-nm光刻膠， 制備了苯乙烯磺酸鎓鹽和甲基丙烯酸酯、對羥基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保護部分酚羥基，由其組成了單組分的化學增幅型248-nm光刻膠，這些正型248-nm光刻膠獲得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及圖形線條平滑陡直等的出色表現。  利用高分子產酸劑透明性好的特點，還制備了厚膜248-nm光刻膠，可獲得線寬0.34微米、高-寬比可達5：1的光刻圖形：  在此基礎上，還制備了負型248-nm光刻膠，這些光刻膠也都獲得了很好的光刻成像性能表現。這些高分子光產酸劑也可用于制備新型的高性能193-nm光刻膠。 這些248-nm光刻膠的主要組分除了溶劑外都是自行制備，原料易得，反應條件溫和可控，去金屬雜質的方法也是簡便易行，成本相對低廉，在經過多年的深入研究之后，完全具備了產業化的條件。 半導體加工的關鍵設備、材料主要掌握在美、日手中，對我國電子工業的平穩發展帶來困難和潛在的巨大威脅。其中光刻膠作為芯片光刻加工的關鍵材料，日本公司的產品占據全球市場的70%以上，而我國在中高端產品上（248-nm光刻膠、193-nm光刻膠）完全依賴進口，即便是低端的i-線光刻膠國產化率也只有20%左右。因此，我們必須盡快扭轉這種不利的局面，這需要科研工作者和產業界共同努力以及政府的大力支持。     近年來光刻膠引起了社會的廣泛關注，已有多家企業開始投身于248-nm光刻膠與193-nm光刻膠的研發與產業化，但絕大部分仍處于研發階段。我們研制的光刻膠具備了產業化的技術條件并具有與國外先進光刻膠產品競爭的產品性能。    半導體加工用光刻膠種類較多，本課題組從2002年參與國家十五“863”光刻膠重大專項開始，至今近二十年來聚焦于光刻膠研究，在i-線膠、248-nm光刻膠、聚酰亞胺光刻膠、厚膜光刻膠及抗反射涂層材料等方面都取得了很好的結果，也在致力于這些光刻膠產品的產業化。 相關項目、專利及文章： 1.國家重大科技專項（02專項）子課題,課題編號:2010ZX02303（深紫外光刻膠專用光致產酸劑及新型成膜樹脂的擴試技術研究） 2.國家自然科學基金應急管理項目，51641301, 含光產酸基團的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其組成的化學增幅光致抗蝕劑研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光產酸基團的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制備及其應用，中國發明專利，專利號：9。

目前半導體光刻加工用的深紫外光刻膠都采用化學增幅體系，這種體系主要由含酸敏基團的成膜材料和光產酸劑組成，這種體系最大的問題是光產酸在后烘階段會發生酸遷移，導致光刻分辨率難以提高。能夠有效改善酸遷移問題的一種方法是采用高分子光產酸劑，且其光產酸是高分子強酸。 課題組研制了一系列新穎的含多種鎓鹽光產酸基團的苯乙烯衍生物及其與甲基丙烯酸酯的共聚物。它們在曝光過程中產生大分子的磺酸，因此可作為大分子光產酸劑與其它成膜材料一起組成化學增幅型光致抗蝕劑。 以之為產酸劑與其它部分保護的對羥基苯乙烯聚合物一起組成二組分的化學增幅型248-nm光刻膠， 制備了苯乙烯磺酸鎓鹽和甲基丙烯酸酯、對羥基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保護部分酚羥基，由其組成了單組分的化學增幅型248-nm光刻膠，這些正型248-nm光刻膠獲得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及圖形線條平滑陡直等的出色表現。   利用高分子產酸劑透明性好的特點，還制備了厚膜248-nm光刻膠，可獲得線寬0.34微米、高-寬比可達5：1的光刻圖形：   在此基礎上，還制備了負型248-nm光刻膠，這些光刻膠也都獲得了很好的光刻成像性能表現。這些高分子光產酸劑也可用于制備新型的高性能193-nm光刻膠。 這些248-nm光刻膠的主要組分除了溶劑外都是自行制備，原料易得，反應條件溫和可控，去金屬雜質的方法也是簡便易行，成本相對低廉，在經過多年的深入研究之后，完全具備了產業化的條件。 半導體加工的關鍵設備、材料主要掌握在美、日手中，對我國電子工業的平穩發展帶來困難和潛在的巨大威脅。其中光刻膠作為芯片光刻加工的關鍵材料，日本公司的產品占據全球市場的70%以上，而我國在中高端產品上（248-nm光刻膠、193-nm光刻膠）完全依賴進口，即便是低端的i-線光刻膠國產化率也只有20%左右。因此，我們必須盡快扭轉這種不利的局面，這需要科研工作者和產業界共同努力以及政府的大力支持。     近年來光刻膠引起了社會的廣泛關注，已有多家企業開始投身于248-nm光刻膠與193-nm光刻膠的研發與產業化，但絕大部分仍處于研發階段。我們研制的光刻膠具備了產業化的技術條件并具有與國外先進光刻膠產品競爭的產品性能。    半導體加工用光刻膠種類較多，本課題組從2002年參與國家十五“863”光刻膠重大專項開始，至今近二十年來聚焦于光刻膠研究，在i-線膠、248-nm光刻膠、聚酰亞胺光刻膠、厚膜光刻膠及抗反射涂層材料等方面都取得了很好的結果，也在致力于這些光刻膠產品的產業化。 相關項目、專利及文章： 1.國家重大科技專項（02專項）子課題,課題編號:2010ZX02303（深紫外光刻膠專用光致產酸劑及新型成膜樹脂的擴試技術研究） 2.國家自然科學基金應急管理項目，51641301, 含光產酸基團的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其組成的化學增幅光致抗蝕劑研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光產酸基團的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制備及其應用，中國發明專利，專利號：9。

本發明公開了一種用于浸沒式光刻的浸液溫控系統，通過其獲得具有穩定溫度的浸液，以用于浸沒式光刻工藝中，其特征在于，該溫控系統包括：用于浸液流動的浸液管路，待溫控的浸液通過管路進口進入該浸液管路，溫控后的浸液通過該浸液管路出口輸出；用于對所述浸液進行冷卻的工藝冷卻液回路，工藝冷卻液在該回路中循環流動；以及熱交換器（6），所述浸液管路和工藝冷卻液回路同時流經該熱交換（6），利用該熱交換器（6）完成工藝冷卻液和浸液的熱交換，獲得具有穩定溫度的浸液，實現對浸液的溫度控制。本發明的裝置采用內部回流結構與熱交換器