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一種基于憶阻器的超寬帶脈沖信號產生裝置
本發明公開了一種基于憶阻器的超寬帶脈沖信號產生裝置，包 括憶阻器控制電路、方波振蕩電路、超寬帶脈沖產生電路和倍壓電路； 方波振蕩電路的輸入端連接憶阻器控制電路，倍壓電路的輸入端連接 至方波振蕩電路的第一輸出端，脈沖產生電路的第一輸入端連接至倍 壓電路的輸出端，第二輸入端連接至方波振蕩電路的第二輸出端。憶 阻器控制電路包括三極管，方波振蕩電路包括 TTL 門電路、憶阻器、 射極放大電路，超寬帶脈沖產生電路包括反相器、R
華中科技大學
2021-04-14
基于憶阻器的多值存儲單元、讀寫電路及其操作方法
本發明公開了一種基于憶阻器的多值存儲單元、讀寫電路及其·717·操作方法；所述基于憶阻的多值存儲單元是利用憶阻器的阻變特性，由多個憶阻器以特殊的連接方式構成。這種連接方式組成的多值存儲單元繼承了憶阻器，體積小，功耗低，可拓展性強的優點。相較于傳統憶阻器存儲結構，所述多值存儲結構提供了更大的存儲空間，為存儲器設計提供了一種新的思路。所述多值存儲單元的讀寫電路包括存儲單元、控制開關以及電壓比較電路。所述讀寫
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器的圖像識別系統及方法
本發明公開了一種基于憶阻器的圖像識別系統及方法。所述系 統包括圖像信號提取模塊、多個基于憶阻器的神經網絡模塊和識別模 塊；所述識別模塊其輸入端與多個神經網絡模塊的輸出端相連；每個 神經網絡模塊的輸出端與識別模塊的輸入端相連，其輸入端與信號提 取模塊的輸出端相連。所述方法包括以下步驟：（1）獲取待識別灰度 圖像的特征向量并輸入各神經網絡模型；（2）各神經網絡模型根據其 圖像模型對所述特征向量分別進行打分并進行識別；（3
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器實現多層識別的電路及其控制方法
本發明公開了一種基于憶阻器實現多層識別的電路及其控制方 法，來模擬生物大腦的多狀態(認知、熟悉、陌生)認知能力。通過分別 調節第二輸入端與第一輸入端信號脈沖的匹配數目和第二輸入端信號 脈沖幅值來實現多層次脈沖識別。第一輸入端輸入信號代表已存儲在 生物大腦中的樣本信號，第二輸入端輸入信號代表生物大腦接收到外 界環境的刺激信號，這種識別方法的原理是通過控制大腦存儲的樣本 信號和外界環境的刺激信號相互匹配，來調控大腦對于外
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器的通用編程模塊及其操作方法
本發明公開了一種基于憶阻器的通用編程模塊及其操作方法， 可編程模塊包括阻變元件、電阻 R1、第一 N 型 MOS 管、第一 P 型 MOS 管、第二 N 型 MOS 管和第二 P 型 MOS 管；第一 N 型 MOS 管 的漏極和第一 P 型 MOS 管的漏極均連接至阻變元件的一端，第一 N 型 MOS 管的源極和第一 P 型 MOS 管的源極連接后與電阻 R1 的一端 連接，第一 N 型 MOS 管的柵極與第一 P 型 MOS
華中科技大學
2021-04-14
基于雙反饋法的阻性傳感陣列線性讀出電路及其讀出方法
本發明公開了一種基于雙反饋法的阻性傳感陣列線性讀出電路。所述讀出電路包括：行多路選擇器、列多路選擇器、掃描控制器、負恒流源、電壓采樣裝置以及第一運算放大器、第二運算放大器、第三運算放大器；所述負恒流源的輸出端連接第一運算放大器的反相輸入端，第一運算放大器的同相輸入端與第二運算放大器的同相輸入端連接后接地，第二運算放大器的反相輸入端與第二運算放大器的輸出端連接，第三運算放大器的反相輸入端與第三運算放大器的輸出端連接；電壓采樣裝置用于對第三運算放大器的輸出端電壓、第一運算放大器的輸出端電壓進行檢測。本發
東南大學
2021-04-14
去阻啟動噴動床秸稈與煤共催化氣化制燃氣技術
項目簡介 本成果利用去阻啟動噴動床為反應器，將生物質秸稈和煤共催化氣化，產生燃氣， 形成了生物質稻草催化水煤氣反應低焦油中熱值燃氣制備工藝，可用于農村地區以村鎮 為單位的小型氣化站的建設。成果已取得發明專利授權，ZL 2009 1 0264047.8。 性能指標 120kg/h 的生物質稻草等與煤、碳酸鈣和水蒸汽共氣化，生成焦油含量低于 10mg/m3 、 熱值 10-15MJ/m3 的農村用燃氣。 適用范圍、市場前景
江蘇大學
2021-04-14
湖北省科技廳關于組織申報2023年科技人才服務企業項目的通知
為充分發揮科技第一生產力、人才第一資源、創新第一動力的作用，引導科技人才向基層一線流動，打破區域人才流動壁壘，促進產才深度融合，現組織實施2023年科技人才服務企業項目，著重促進武漢市內高校、科研院所科技人才資源與武漢市外企業創新資源充分融合，推進區域協調發展。
湖北省科技廳
2023-02-22
一種基于憶阻的非易失性 D 觸發器電路
本發明公開了一種基于憶阻器的非易失 D 觸發器電路；包括憶阻器 ME、定值電阻 R、第一 MOS 管、第二 MOS 管、第三 MOS 管、第一反相器 N1、第二反相器 N2 和第三反相器 N3 以及將憶阻器與定值電阻串聯構成的分壓電路模塊。主要是利用了憶阻的非易失和阻值隨流經本身的電荷大小改變的特性，實現了觸發器的鎖存以及觸發功能。本發明所構建 D 觸發器不僅具有傳統觸發器的功能，而且具備響應速度快以及非易失性的特點
華中科技大學
2021-04-14
基于憶阻的非易失性存儲器、讀寫擦除操作方法及測試電路
本發明提供了一種基于憶阻的非易失性存儲器及其讀、寫、擦除操作方法以及測試電路；基于憶阻的非易失性存儲器電路包括憶阻存儲單元、選址開關、控制開關以及分壓電路。本電路的設計通過行列地址信號對憶阻存儲單元進行選址，通過外加脈沖信號對讀、寫、擦除操作進行選擇，并提供了基于憶阻的非易失性存儲器的功能測試電路驗證此電路結構的有效性。同時，在此電路結構的基礎上，利用憶阻的非易失性原理，探討了對此基于憶阻的非易失性存儲器電路的
華中科技大學
2021-04-14