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輕石腦油、芳烴抽余油經(jīng)預(yù)分餾得到C6~C8正異構(gòu)烷烴，因正/異構(gòu)烷烴沸點(diǎn)接近，采用精餾分離工藝進(jìn)一步得到含量>99.5%以上的高純度C6~C8溶劑油產(chǎn)品，分離難度大、能耗高。本研究室自主研制和開發(fā)反擇形吸附劑及吸附分離技術(shù)，進(jìn)一步脫除預(yù)分餾產(chǎn)物中微量的異構(gòu)烷烴，得到99.5%以上的高純度正構(gòu)烷烴產(chǎn)品，副產(chǎn)異構(gòu)烷烴產(chǎn)品可做調(diào)和油和溶劑油，增加了原料油綜合利用率，提高溶劑油產(chǎn)品的附加值。經(jīng)過試驗(yàn)研究和可行性分析，解決了吸附劑制備和再生等關(guān)鍵技術(shù)難題，已完成小試。

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本實(shí)用新型公開了一種基于正滲透作用的減少垃圾滲出液滲流擴(kuò)散的裝置，該裝置由滲透膜保護(hù)殼、滲透膜和蓋板組成；滲透膜保護(hù)殼呈瓶狀，側(cè)壁開有若干通孔；滲透膜呈空心圓柱體狀，頂端嵌入滲透膜保護(hù)殼的瓶肩處，底端嵌入滲透膜保護(hù)殼的底面，內(nèi)部盛有NH4HCO3溶液；滲透膜保護(hù)殼的瓶口處設(shè)有蓋板。該裝置通過吸收垃圾滲出液中的水以減少垃圾滲出液的滲流擴(kuò)散，起到了預(yù)防垃圾滲出液污染范圍擴(kuò)大的效果，帶孔的滲透膜保護(hù)殼能保護(hù)滲透膜避免固體垃圾的擠壓破壞，該裝置減少垃圾滲出液滲流擴(kuò)散的過程利用的是正滲透作用的自發(fā)性，不需要其它動(dòng)力設(shè)備，具有低能耗的優(yōu)點(diǎn)。

本發(fā)明公開了一種多層大跨度正交正放裝配式混凝土空腹樓蓋，包括周邊框架（７）以及兩個(gè)以上的預(yù)制空腹網(wǎng)格單元。預(yù)制空腹網(wǎng)格單元包括上弦空腹網(wǎng)格模塊、下弦空腹網(wǎng)格模塊和混凝土剪力鍵。上弦空腹網(wǎng)格模塊包括兩根以上的弦桿一和兩根以上的弦桿二，下弦空腹網(wǎng)格模塊包括兩根以上的弦桿三和兩根以上的弦桿四。上弦空腹網(wǎng)格模塊通過混凝土剪力鍵固定在下弦空腹網(wǎng)格模塊的正上方。本發(fā)明還公開了一種多層大跨度正交正放裝配式混凝土空腹樓蓋的制作方法，本發(fā)明提出的預(yù)制裝配的施工方法，在長(zhǎng)度方向Ｌｘ與跨度方向Ｌｙ之比為１≤Ｌｘ／Ｌｙ≤１

電輸運(yùn)性質(zhì)測(cè)量系統(tǒng)材料電磁性測(cè)量?jī)x器 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！  TESTIK-9系列電輸運(yùn)性質(zhì)測(cè)試系統(tǒng)是集霍爾效應(yīng)、磁阻、變溫電阻、I-V特性等測(cè)試于一體的全自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)。系統(tǒng)考慮了集成一體性、屏蔽防干擾能力和操作人性化等用戶經(jīng)常忽略的問題，選取了美國(guó)Keithley的電測(cè)量?jī)x表，磁場(chǎng)根據(jù)用戶需要采用電磁鐵或無液氦超導(dǎo)磁體，配備靈巧的測(cè)量樣品桿和快速插拔樣品卡，加上全自動(dòng)化的專用測(cè)試軟件，能讓用戶快速方便地進(jìn)行電輸運(yùn)測(cè)試，并獲得準(zhǔn)確可靠的數(shù)據(jù)。此外，TESTIK-9系列還有多種高低溫溫度環(huán)境選件。TESTIK-9系列電輸運(yùn)性質(zhì)測(cè)試系統(tǒng)是廣大科研工作者對(duì)材料進(jìn)行電輸運(yùn)性質(zhì)研究的理想選擇。 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 電輸運(yùn)性質(zhì)測(cè)量系統(tǒng)材料電磁性測(cè)量?jī)x器 系統(tǒng)功能： 可以進(jìn)行霍爾效應(yīng)、R-H特性、R-T特性和I-V特性的測(cè)量，可得出參數(shù)：方塊電阻、電阻率、霍爾系數(shù)、霍爾遷移率、載流子濃度和導(dǎo)電類型，可繪制以上參數(shù)隨溫度或磁場(chǎng)的變化曲線。 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！   您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 系統(tǒng)功能： 可以進(jìn)行霍爾效應(yīng)、R-H特性、R-T特性和I-V特性的測(cè)量，可得出參數(shù)：方塊電阻、電阻率、霍爾系數(shù)、霍爾遷移率、載流子濃度和導(dǎo)電類型，可繪制以上參數(shù)隨溫度或磁場(chǎng)的變化曲線。 可繪制曲線： I-V特性—不同磁場(chǎng)和不同溫度下的I-V特性曲線； R-H特性-固定溫度，電阻隨著磁場(chǎng)變化的特性曲線； R-T特性—固定磁場(chǎng)，電阻隨著溫度變化的特性曲線。