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產(chǎn)品詳細(xì)介紹 臺(tái)式醫(yī)用數(shù)控浸油防銹煮沸消毒槽 醫(yī)用煮沸消毒槽，醫(yī)用數(shù)控煮沸槽，醫(yī)用數(shù)控浸油煮沸槽，甘肅煮沸廠家低價(jià)供應(yīng)，上油防銹煮沸槽，醫(yī)用煮沸消毒機(jī) 24小時(shí)銷售維修熱線：13275601658/055165683226  合肥金尼克機(jī)械制造有限公司，主要產(chǎn)品有合肥金尼克主要展覽的產(chǎn)品有：醫(yī)用全自動(dòng)清洗消毒器、干燥柜、煮沸消毒器、超聲波清洗器、干燥箱、多槽式清洗消毒器、高壓水槍、空壓機(jī)、光源放大鏡、洗眼器、器械串、感應(yīng)水池、打包臺(tái)等供應(yīng)室、手術(shù)室不銹鋼系列輔助設(shè)備和各種大專院校實(shí)驗(yàn)室設(shè)備等幾十多個(gè)品種，六百多種規(guī)格。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于醫(yī)療、高校、科研、質(zhì)檢、交通、紡織、冶金、環(huán)保、化工、農(nóng)業(yè)、工業(yè)機(jī)械、電子電器、自來水、制藥、釀酒、鐘表、首飾等行業(yè)。 臺(tái)式浸油煮沸消毒槽容量有22.5L,型號(hào)是JK-DYJ500 容量有35L，型號(hào)有JK-DYJ600 容量有52L，型號(hào)有JK-DYJ1000 立式浸油煮沸消毒槽容量有35L,型號(hào)是JK-DYJ600， 52L，型號(hào)是JK-DYJ1000， 69L，型號(hào)是JK-DYJ1200， 86L，型號(hào)是JK-DYJ1500， 103L型號(hào)是JK-DYJ1800， 主要技術(shù)指標(biāo) 型號(hào)：JK-DYJ500 內(nèi)槽尺寸（mm）：500*300*150 外槽尺寸（mm）：670*470*475 容量（L）：22.5 電源：380V 50Hz 浸油功率（W）：500±10% 加熱功率（W）：3000±10% 超聲功率可調(diào)（%）：40-100 溫度可調(diào)（℃）：0-98 時(shí)間可調(diào)（min）：1-480 連續(xù)工作：小于等于8h 進(jìn)排水：手控、1寸不銹鋼球閥 降音蓋：手控、連機(jī) 殼體材料：304不銹鋼 網(wǎng)架：304不銹鋼，1個(gè) 電源：380V 售后服務(wù)： 公司根據(jù)客戶需要負(fù)責(zé)安裝、調(diào)試及相應(yīng)人員培訓(xùn)，負(fù)責(zé)上門維修。終身維護(hù)。超過保修期，維修只收取零部件成本費(fèi)。

本發(fā)明提供一種深井高應(yīng)力大巷煤柱釋能改性防治沖擊地壓的方法，屬于采礦技術(shù)領(lǐng)域。該方法首先實(shí)施大直徑卸壓鉆孔，釋放煤體積聚彈性能；其次，大直徑鉆孔內(nèi)進(jìn)行超高壓定點(diǎn)水力壓裂，將完整煤柱裂化，減弱大巷煤柱蓄能能力；然后，對(duì)壓裂后的大巷煤柱實(shí)施注漿加固，增加大巷煤柱強(qiáng)度，提升沖擊閾值；最后，實(shí)施補(bǔ)強(qiáng)支護(hù)，增加大巷煤柱的抗沖擊能力。

本項(xiàng)目揭示了采動(dòng)影響區(qū)內(nèi)頂板巖層裂隙 的動(dòng)態(tài)演化規(guī)律和采空區(qū)側(cè)“豎向裂隙發(fā)育區(qū)” 的形成規(guī)律；研制了新型充填材料；創(chuàng)新了無 煤柱快速沿空留巷、Y型通風(fēng)、留巷鉆孔抽采 卸壓瓦斯等關(guān)鍵技術(shù)，解決了煤與瓦斯共采的 關(guān)鍵技術(shù)難題。

【發(fā) 明 人】朱棟；文紅梅；池玉梅；鄧海山；康安；韓疏影【摘要】本發(fā)明涉及一種功能化多孔硫化鋅納米微球固相萃取柱及其制備方法，固相萃取柱的基質(zhì)為功能化的多孔硫化鋅納米微球，是由原始多孔硫化鋅納米微球經(jīng)胺基化、羧基化共價(jià)化學(xué)修飾所得。該功能化多孔硫化鋅納米微球的填裝高度為(0.6~1.2)cm。主要適于植物提取液、中藥復(fù)方及生物樣品中生物堿的富集和分離。本發(fā)明固相萃取柱具有對(duì)目標(biāo)物質(zhì)回收率高(92%-105%)，制備成本低，材料易得，功能化過程簡單，適應(yīng)性強(qiáng)，易于批量生產(chǎn)的特點(diǎn)，具有很好的應(yīng)用前景。

1. 痛點(diǎn)問題 目前硅基太陽能電池占據(jù)著太陽能電池的主導(dǎo)地位，其中單晶硅電池轉(zhuǎn)換效率已可以達(dá)到25%左右，但它們需要比較多的單晶硅材料，生產(chǎn)成本高。而對(duì)于多晶硅，由于缺陷較多，轉(zhuǎn)換效率比較低。III-V族材料轉(zhuǎn)換效率高，但是材料和生產(chǎn)成本居高不下，難以推廣使用。雖然可以利用納米柱陣列來提高光吸收能力及減少材料成本，但是由于納米柱結(jié)構(gòu)具有很大的表面積，載流子較大的表面復(fù)合嚴(yán)重影響著器件的性能，而且需要昂貴的設(shè)備生長徑向異質(zhì)結(jié)和控制摻雜濃度。 2. 解決方案 本項(xiàng)目提出一種磷化銦納米柱徑向同質(zhì)結(jié)陣列結(jié)構(gòu)的簡單制備方法，目前已完成高效太陽能電池驗(yàn)證和原型器件的制備，另還有可見光探測(cè)器等在研。 本方法是在磷化銦納米柱制備過程中，利用刻蝕氣體中加入氫氣，可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)了磷化銦納米柱陣列和徑向同質(zhì)結(jié)的制備，通過控制刻蝕時(shí)間及氫氣含量，精確控制磷化銦表面摻雜濃度及深度，相比于其他生長徑向同質(zhì)結(jié)的方法，本方法設(shè)備簡單，制備效率高。在降低成本方面，納米柱結(jié)構(gòu)相比于平面結(jié)構(gòu)具有更好的陷光效應(yīng)，只需使用少量的材料便可以實(shí)現(xiàn)高效光吸收。 合作需求 本項(xiàng)目下一步發(fā)展需求主要集中在與太陽能電池相關(guān)企業(yè)的技術(shù)和產(chǎn)品合作，優(yōu)化和固定產(chǎn)品制作工藝流程，降低生產(chǎn)成本。其次是資本投資、政府政策等方面的扶持。需要的外部資源主要是產(chǎn)業(yè)的工程化和市場(chǎng)資源。

本發(fā)明公開了一種基于背景磁場(chǎng)下管材的電磁無模成形方法及 裝置。本發(fā)明提出的裝置包括亥姆霍茲線圈系統(tǒng)，支撐桿，上、下支 撐板，驅(qū)動(dòng)桿，脈沖放電電路和成形線圈。本發(fā)明將背景磁場(chǎng)和脈沖 磁場(chǎng)相結(jié)合實(shí)現(xiàn)了管材(如鋁合金管)的電磁均勻脹形。借助高速變形的 管材在背景磁場(chǎng)中，因電磁阻尼而形成的不均勻阻力場(chǎng)，阻礙其相應(yīng) 塑性變形區(qū)的不均勻流動(dòng)，使管材不出現(xiàn)局部減薄或脹裂，從而獲得 塑性流動(dòng)均勻的合格脹管件。本發(fā)明所采用的亥姆霍茲線

本發(fā)明公開了一種消失模鑄造液-液復(fù)合鋁-鎂雙金屬鑄件的方 法，其包括以下步驟：提供一個(gè)復(fù)合模型，所述復(fù)合模型包括沿豎直 方向依次相連接的鑄件鎂合金部分泡沫模型、鋁片及鑄件鋁合金部分 泡沫模型、分別連接所述鑄件鎂合金部分泡沫模型及所述鑄件鋁合金 部分泡沫模型的鎂合金澆注系統(tǒng)部分泡沫模型及鋁合金澆注系統(tǒng)部分 泡沫模型；對(duì)所述復(fù)合模型涂涂料；對(duì)所述復(fù)合模型進(jìn)行埋砂造型； 向所述復(fù)合模型分別澆注鎂合金澆注液及鋁合金澆注液，直

本發(fā)明公開了一種基于光纖聲光?；プ饔玫臏囟群蛻?yīng)變同時(shí)測(cè) 量方法，利用光纖中激發(fā)的某一個(gè)光模與對(duì)應(yīng)激發(fā)的多聲模之間的互 作用產(chǎn)生多峰布里淵增益譜，從多峰布里淵增益譜中任意選取兩個(gè)增 益峰的某一特征量進(jìn)行比對(duì)測(cè)量，或任意選取一個(gè)增益峰的某兩個(gè)特 征量進(jìn)行比對(duì)測(cè)量，獲取布里淵頻移和/或布里淵增益系數(shù)隨溫度和應(yīng) 變的感知靈敏系數(shù)，構(gòu)成系數(shù)矩陣，通過求解矩陣方程獲取溫度和應(yīng) 變，實(shí)現(xiàn)溫度和應(yīng)變的同時(shí)測(cè)量；本發(fā)明提供的溫度和應(yīng)變同時(shí)測(cè)量 方法，在消除溫度和應(yīng)變交叉敏感不利影響的同時(shí)，無需引入額外的 測(cè)量機(jī)制或設(shè)

本發(fā)明公開了一種基于光纖聲光?；プ饔玫臏囟群蛻?yīng)變同時(shí)測(cè) 量方法，利用光纖中激發(fā)的某一個(gè)光模與對(duì)應(yīng)激發(fā)的多聲模之間的互 作用產(chǎn)生多峰布里淵增益譜，從多峰布里淵增益譜中任意選取兩個(gè)增 益峰的某一特征量進(jìn)行比對(duì)測(cè)量，或任意選取一個(gè)增益峰的某兩個(gè)特 征量進(jìn)行比對(duì)測(cè)量，獲取布里淵頻移和/或布里淵增益系數(shù)隨溫度和應(yīng) 變的感知靈敏系數(shù)，構(gòu)成系數(shù)矩陣，通過求解矩陣方程獲取溫度和應(yīng) 變，實(shí)現(xiàn)溫度和應(yīng)變的同時(shí)測(cè)量；本發(fā)明提供的溫度和應(yīng)變

本發(fā)明涉及一種表征太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器多模效應(yīng)的電路建模仿真方法，首先建立表征 THzQCL 有源層內(nèi)部載流子輸運(yùn)特性的多模速率方程組；接著建立表征ThzQCL內(nèi)部多模態(tài)效應(yīng)的物理方程模型； 然后通過變量代換和化簡得到相應(yīng)的等效電路模型；建立表征 THzQCL 輸入端電氣特性的等效電路模型； 建立表征 THzQCL 輸出端光功率特性的等效電路模型；最后建立電路宏模型，包括一個(gè)電氣端口和一個(gè) 光功率輸出端口，基于電路宏模型進(jìn)行光電性能仿真和輸出光譜性能測(cè)試。本發(fā)明可測(cè)試溫度對(duì) THzQCL 各種光電性能的影響；可支持實(shí)現(xiàn)對(duì) THzQCL 光電性能和輸出多模效應(yīng)的模擬和仿真。