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本發明公開了ZmCCT9在調控玉米開花期性狀中的應用。實驗證明。本發明公開的ZmCCT9為如下A1)、A2)或A3)：A1)氨基酸序列是序列3的第1?275位的蛋白質；A2)將序列表中序列3的第1?275位所示的氨基酸序列經過一個或幾個氨基酸殘基的取代和/或缺失和/或添加且具有相同功能的蛋白質；A3)在A1)或A2)的N端或/和C端連接標簽得到的融合蛋白質。實驗證明，本發明的ZmCCT9及其編碼基因可以調控植物的開花期，導入ZmCCT9編碼基因并表達ZmCCT9的植物開花期延長，敲除ZmCCT9編碼基因的植物開花期縮短，表明，ZmCCT9及其編碼基因可以用來調控植物開花期。

本發明涉及基因工程技術領域，具體公開了VvSUC27基因(GenBank登錄號：AF021810)在促進植物攝取外界蔗糖中的應用以及其在促進植物生長(尤其是在弱光環境或無光環境中生長)中的應用。本發明通過過表達VvSUC27基因，促進了植物攝取外界蔗糖，同時可使轉基因植物出現快速生長的表型，并且可以在微光甚至使無光下快速生長，證實了該基因的一個新的功能應用。VvSUC27基因的克隆和轉基因的應用，有望應用于肉質根或塊根植物及花卉等植物的培育中，使得植物即使在無光下也能快速生長，有利于節約光能減少能源的浪費。

本發明公開了一種高增益低副瓣的毫米波封裝天線，包括引線框架，引線框架上設有毫米波IC芯片和毫米波天線，毫米波IC芯片與毫米波天線之間實現高頻互連，還包括封裝罩，封裝罩將毫米波IC芯片與毫米波天線密封在引線框架內，毫米波天線包括輻射單元，封裝罩上對應毫米波天線輻射單元的位置處設有喇叭狀凹槽，喇叭狀凹槽的槽壁表面被金屬覆蓋。本發明通過在封裝罩上設計喇叭狀凹槽，能夠有效提升天線的增益，降低天線的副瓣電平，并且不影響回波損耗性能，從而能夠實現小型化、低成本和高性能的毫米波封裝天線。

該發明研制了一種超短波的結構簡單、不需另加中繼器、不需布傳輸線、不受天氣環境影響、通信穿透力強，且具有安裝方便、靈活、成本低廉，適應多種電壓等級（如 380V/ 660V/1140V ），能穿過千米高山的遠程無線遙控水泵裝置。為了克服一般遠程無線通信受天氣環境影響大、通信質量較差、在野外增加中繼器增強信號不方便等缺點，實現復雜環境下的無線遠程遙控供水。該裝置已在臨潼驪山間水井到西安科技大學水池遠程遙控應用 3 年多，運行良好。

有效提高換熱器的傳熱能力是節能的重要途徑，通過采用更高性能的高效管即可實現。本裝置為采用新型傳熱方式（高真空度下的噴淋降膜蒸發）的新產品性能設計研制測試臺，可用于水及制冷工質在水平光管及管束上的噴淋降膜蒸發傳熱性能試驗，目的在于對降膜蒸發強化傳熱技術進行研究與開發。用于制冷工質的噴淋降膜蒸發傳熱性能試驗裝置的研發在國內尚未見公開報道，本裝置的設計與研制有創新性。測試臺主要技術指標達到國際先進水平。3）對水在水平光管及管束上的降膜蒸發過程進行實驗研究，工作參數（壓力、流量和溫度）范圍應符合現有工程實際使用范圍，可對噴淋流量、熱流密度、飽和溫度、過熱度及幾何參數（管徑、間距、管型）等對換熱性能的影響進行重點研究。 測試臺主要參數： 1） 殼程壓力（絕對壓力）   0.8 -1.0kPa 2） 制冷劑（水）流量   0.5-2.0 kg/m/min， 3） 噴淋水溫            5 ℃ 4） 冷凍水出口水溫      7 ℃ 5） 采用噴淋型式 6） 傳熱溫差最小可達2℃左右。 測量及控制精度： 1）測量精度要求：      溫度±0.1℃，流量±0.04 kg/min，絕對壓力±0.15% 2）控制精度要求 溫度±0.1℃，流量±0.1 kg/min，絕對壓力±0.5%， 溫度和流量采用全自動控制。

西安科技大學煤礦支護研發中心王曉利教授創新團隊多年從事井下支護及材料研究，開發出的速聯膠凝材料，具有完全自主產權。在神東煤炭集團公司布爾臺煤礦、補連塔煤礦底板快速硬化中得到了應用。

西安科技大學從 1988 年開始就對煤層自燃火災預測及防滅火新技術的研究與應用。對煤的結構特點和煤層自燃的特點，通過對煤自燃預測理論和防滅火新理論的系統研究，開發出了煤層自燃火災預測技術和防滅火新技術，并重點在煤礦井下煤層自燃火災的預測和防治中進行了廣泛推廣和應用，較好地解決了制約我國煤炭工業科技進步的關鍵問題之 ——— 煤層自燃火災的預測和防治問題，取得明顯的社會和經濟效益，于 2002 年獲得了國家科學技術進步二等獎。目前該技術已在全國 20 多個省得到應用。

本發明公開了一種具有車削區溫度解耦功能的刀具，包括車削刀桿和安裝在車削刀桿上的刀片，在刀片內有二個測試微細盲孔，分別用于布置高溫光纖光柵，一個盲孔位于刀具前刀面正下方，另一個盲孔亦位于刀片內部，盲孔底部緊靠刀尖位置。所述一個盲孔的軸線垂直于切削刃，盲孔底部距離切削刃 0.2 至 0.8mm，盲孔距離前刀面為 0.5 至 1.2mm，并偏出刀尖 1 至 1.5mm 位置，用于測試刀屑接觸面的溫度分布。所述另一個盲孔距離刀尖外表面 0.2 至 0.5mm，盲孔軸線與前刀面夾角為 20 至 30°，并指向刀片內部。本發明可以在車削微區域內實現多點測量，動態特性好，能較好的對切削微區生熱進行解耦，具有較強的微區域測試特性，較好的溫度動態顯示特性，以及較高的測試精度。

利用大規模集成硅基納米光量子芯片技術，實現對高維度光量子糾纏體系的高精度和普適化量子調控和量子測量。 （圖一）基于硅納米光波導的大規模集成光量子芯片(可實現對高維量子糾纏體系的高精度、可編程、且任意通用量子操控和量子測量)       集成光學量子芯片技術，基于量子力學基本物理原理，使用半導體微納加工工藝實現單片集成光波導量子器件（包括單光子源、量子操控和測量光路，以及單光子探測器等），可以實現對量子信息的載體單光子進行處理、計算、傳輸和存儲等。集成光學量子芯片具有集成度高、穩定性高、性能好、體積小、制造成本低等諸多優點。因此，該技術被普遍認為是一種實現光量子信息應用的有效技術手段。      利用硅基納米光波導技術實現的光量子芯片具有諸多獨特優點，例如與傳統微電子加工工藝兼容、可集成度高、非線性效用強、以及工作波長與光纖量子通信兼容等。然而，迄今為止光量子芯片的復雜度僅限于小規模的演示，如集成少數馬赫-曾德干涉儀對光子態進行簡單操控。因此，我們迫切需要擴大集成量子光路的復雜性和功能性，增強其量子信息處理技術的能力，從而推進量子信息技術的應用。       相干且精確地控制復雜量子器件和多維糾纏系統是量子信息科學和技術領域的一項難點。相對于目前普遍采用的二維體系量子技術，高維體系量子技術具有信息容量大、計算效率高、以及抗噪聲性強等諸多優點。最近，多維度量子糾纏系統已分別在光子、超導、離子和量子點等物理體系中實現。利用光子的不同自由度，如軌道角動量模式、時域和頻域模式等，可以有效編碼和處理多維光量子態。然而，實現高保真度、可編程、及任意通用的高維度量子態操控和量子測量，依然面臨很多困難和挑戰。       針對上述問題，英國布里斯托爾大學、北京大學、丹麥技術大學、德國馬普研究所、西班牙光學研究所和波蘭科學院的科研人員密切合作，并取得了突破性進展。研究團隊提出并實現了一種新型的多路徑加載高維量子態方式，即每個光子以量子疊加態的形式同時存在于多條光波導路徑，從而實現了一個高達15×15的高維量子糾纏系統。通過可控地激發16個參量四波混頻單光子源陣列，可以制備具有任意復系數的高維度量子糾纏態。通過單片集成通用型線性光路，可對高維量子糾纏態進行任意操控和任意測量。因此，該多路徑高維量子方案具有任意通用性。與此同時，團隊充分利用集成光路的高穩定性和高可控性，實現了高保真度的高維量子糾纏態，如4、8和12維度糾纏態的量子態層析結果分別為96、87% 和 81%保真度，遠超其他方式制備的高維量子糾纏態性能。       更重要的是，團隊通過硅基納米光子集成技術，實現了目前集成度最復雜的光量子芯片（圖一所示），單片集成550多個光量子元器件，包括16個全同的參量四波混頻單光子源陣列、93個光學移相器、122個光束分束器、256個波導交叉結構以及64個光柵耦合器，從而達到對高維量子糾纏體系的高精度、可編程、且任意通用量子操控和量子測量。       研究進一步利用該高維光量子芯片技術，驗證高維度量子糾纏系統的強量子糾纏關聯特性，包括普適化貝爾不等式和EPR導引不等式等，證明量子物理和經典物理定律的重要區別。例如，對4維度量子糾纏態，實驗觀察得到了2.867±0.014的貝爾參數，不僅成功違背經典物理定律61.9個標準差，而且超過普通二維糾纏體系的最大可到達值的2.8個標準差。研究還首次實現高維量子系統的貝爾自檢測和量子隨機放大等新功能，例如，對3維度最大糾纏態和部分糾纏態的自檢測保真度約為76%，對14維以下糾纏態均實現了量子隨機放大功能。

首次制備出了基于非鉛雙鈣鈦礦Cs2AgBiBr6的高質量薄膜及其太陽能電池。對于傳統的鉛基鈣鈦礦材料，其結構為APbX3, 如果用一個一價金屬和三價金屬來代替兩個鉛，即可形成結構式為A2M+M3+X6的雙鈣鈦礦，又名冰晶石。雙鈣鈦礦是一個非常龐大的家族，理論計算可以形成這種組合的有超過9000種，目前有350種已經被合成。根據計算，有11材料有潛力用于光伏器件。目前已經被合成的有5種左右，但是鮮有雙鈣鈦礦電池報到。其主要原因在于很難制備高質量的雙鈣鈦礦薄膜。通過自己搭建的低壓輔助設備首次制備出了高質量的雙鈣鈦礦Cs2AgBiBr6薄膜，研究發現，該薄膜的熱穩定性遠遠好于傳統的鉛基有機－無機雜化鈣鈦礦材料。將其用做吸光層，制備出了平面異質結太陽能電池。基于該薄膜的電池在空氣中有很好的穩定性，對于無空穴傳輸層的器件在空氣中放置超過4個月其效率沒有衰減。說明雙鈣鈦礦在太陽能電池的應用中有非常大的潛力。相關成果發表在《Advanced Science》 （The Dawn of Lead-Free Perovskite Solar Cell: Highly Stable Double Perovskite Cs2AgBiBr6 Film, Adv. Sci. 2018, 5(3), 1700759）。