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光掩膜版(又稱光罩，掩膜版，英文 Photo-mask )是芯片制作中實現設計圖形轉移的載體，是決定其微細結構和線寬精度的核心材料和工具。 目前中國半導體掩膜版的國產化率10%左右，90%需要進口，高端掩膜版國產化率3%，miniLED和microLED產業升級也需要更多高端掩膜版。隨著中國市場需求的持續提升，掩膜版產能嚴重不足。并且中國半導體掩膜版的產業起步較晚，技術滯后，核心技術和裝備基本讓國外公司壟斷，特別是在設備、材料領域眾多技術處于“卡脖子”狀態，例如掩膜版制造的核心裝備光刻機、檢測機、測量機、修復機和貼膜機等都依賴進口，嚴重制約中國半導體產業的發展。華中科技大學徐智謀教授團隊致力于全套高端半導體光掩膜版的關鍵核心技術研發與量產，為“卡脖子”技術研究而努力。 具有建立180 nm技術節點半導體掩膜版量產線相關核心技術；具備130 nm至28 nm半導體掩膜版研發、設計及驗證能力。主要研究成果如下： 1） 工藝突破 團隊掌握了掩膜版MEMS微納加工量產核心技術，如電子束光刻、激光光刻和納米壓印光刻等MEMS微納加工工藝的各類技術參數的搭配和優化，以及大數據量軟件快速處理、補償等。 2） 裝備國產化 A. 超高精度二維測量裝備 尺寸測量是驗證掩膜版技術指標的核心，主要包括關鍵尺寸測量(CD)和長尺寸測量(TP)。團隊已掌握掩膜版的關鍵測量技術，達到國內先進水平，具有整套設備的整機制造能力。 TP測量是掩膜版制作的核心指標，直接影響到客戶的套合精度，該測量設備一直由國外極少數廠商壟斷，且價格昂貴，一般在1000萬美元以上，高端限制對中國出口。團隊目前正在攻克該項技術，已取得階段性成果。 B. 缺陷修復裝備 掩膜版修補技術是提升良品率的關鍵手段，該技術一直為國外壟斷。團隊已熟練掌握UV、DUV激光化學沉積技術及皮秒飛秒激光金屬處理技術，具備整機制造能力，可降低設備采購成本70%以上。 C. Pellicle自動貼膜裝備 隨著產品精度的提升和應用領域的高端化，掩膜版貼膜是個不可缺少的重要環節。在IC制造領域100%掩膜版需貼Pellicle，在IC封裝領域90%以上需貼膜，在LED領域80%以上需貼膜。該貼膜設備一直國外公司壟斷，國內廠家沒有提供，國外采購全自動貼膜設備需100萬美元左右。團隊具備研發制造該設備的能力，貼膜精度±0.1mm,且有設備正式在產線運營，制造成本可節約90%以上。 3） 廠房建設關鍵技術 團隊對MEMS及其掩膜工廠工藝設備廠務設計有豐富經驗，掌握高等級防微震廠房結構和設備平臺的設計施工，可達到VC-D級技術標準，滿足納米級生產技術要求。 【技術優勢】 （1）掌握了高性價比掩膜版量產的關鍵核心技術，包括部分裝備的國產化，解決“卡脖子”技術難題，量產線建設成本節約30%以上； （2）具備28 nm及以下技術節點掩膜版設計開發能力和驗證平臺，驗證周期可縮短3倍； （3）擁有一支20多年以上掩膜版量產、研發和銷售經驗的隊伍，成熟的企業管理經驗，保證企業穩步成長，確保投資風險可控。 【合作方式】 股權投資合作共建或政府孵化+中試線。

本發明公開了一種摩擦制備柔性透明導電膜的方法，該方法將 聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜平鋪在基板上，再將納米石墨粉按 0.005～ 0.02 毫克/平方厘米均勻鋪在聚乙烯或者聚氯乙烯膜上，然后將納米石 墨粉在聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜上借助基板進行摩擦，使納米石墨粉 在聚乙烯膜或者聚氯乙烯膜表面形成的微導電溝道，得到柔性、透明 的導電膜。本發明具有工藝周期短，實施便捷的特點。產品與目前市 場上的透明導電 ITO 玻璃相比，表現出

成果簡介在本項目中運用流體力學理論和動力學方程提出了一種單流體多組元模型，它包含了一個可以適用于多組元的模型框架， 可以處理不同生物膜菌種相互之間的動力學作用、 內部的相互轉化、 群體的消散和混合， 整個材料系統近似為不可壓縮， 因此當一個種群的體積分數增長時， 一個或多個其他的種群必須相應的以體積分數的形式轉化為增長的種群。 我們還把這個二元模型變為更細致的三元模型， 除包含等效溶劑， 還將包含 EPS 和細菌兩種組分， 抗菌劑濃度和營養素也被更細致地建模。 并且使用二元和三元模型研

本發明公開了一種擠壓涂布機膜厚控制方法，包括以下步驟： 在擠壓涂布機更換新的漿料正式生產之前，進行一次預生產過程，測 量記錄有關參數；根據獲得的一系列濕料、干料厚度、及涂布間隙寬 度的樣本數據，采用降噪自編碼的方法訓練建立兩個神經網絡模型； 根據獲得的神經網絡模型，由目標干料厚度預測所需濕料的厚度和涂 布間隙的控制寬度；生產過程中實時監控濕料的厚度，采用神經網絡 模型預測方法，及時調整涂布間隙的控制寬度，以保證濕料厚

本發明屬于柔性膜收卷工藝相關領域，并公開了一種柔性膜收 卷質量視覺檢測方法，包括:針對收卷裝置來布置相應的視覺檢測裝 置及檢測驅動裝置;在收卷過程中對料卷端面執行成像檢測，并獲取 不同焦距下的端面圖像，直至收卷完畢;在收卷完成時構建適當算法 求得料卷端面的特征點深度方差，并利用該深度方差來作為量化指標 評價成卷質量。本發明還公開了相應的實時糾偏處理方式。通過本發 明，不僅實現了柔性膜收卷的高精度質量檢測，還提出了一種柔性膜 成卷效果量化評價指標，并適用于各類成卷設備的應用場合。

項目背景：1.在我國食品行業中塑料膜作為包裝材料的主要 形態之一被廣泛應用。對于食品包裝防止食品變質，提出了更高 的要求“如何減少防腐劑和脫氧劑的加入并有效增加食品的架貨 期、保持食品的新鮮度，在不脫膜的情況下耐高溫蒸煮”成為當 下包裝行業研究的熱點。2.傳統的聚丙烯 PP 類材料雖然耐蒸煮， 但強度不高，柔韌性不足，傳統的 PE 類材料在耐蒸煮性、透氧 阻隔性又處劣勢；通過工藝技術的研發，尋找合適的配方生產膜 材料，尤其在高阻隔防腐方面改進復合膜結構，解決高端市場對 食品、藥品等包裝材料的需求。 所需技術需求簡要描述：1.實現產品經 121℃和 135℃高溫 蒸煮，蒸煮過后阻氧系數可達到 1 以下；2.包裝材料耐壓、耐拉 伸和耐褶皺，內容物兩年內不變色。  對技術提供方的要求:具有相關研究成果，國內領先的院校 或科研單位。 

XM-855A螺旋器及膜性蝸管模型（帶數字標識） ? XM-855A帶數字標識螺旋器及膜性蝸管模型放大350倍，可拆分為5部件，顯示螺旋器及膜性蝸管三壁的立體微細結構，模型的內側端為骨性螺旋板，相當于螺旋緣處的斷面，可見其中的骨質，表面肥厚的骨膜及穿通骨質的聽神經纖維束，模型的另一端為螺旋韌帶，內含多數血管，由側面看可見前庭膜起于螺旋緣上面的骨膜，止于螺旋韌帶的上方。將前庭膜取下觀察，可見它由上面的間皮，中間的結締組織及下面的上皮所成，膜性蝸管的外壁為螺旋韌帶，內面附有單層立方上皮。 尺寸：放大350倍，47.5×18×32.5cm 材質：PVC材料

XM-855螺旋器及膜性蝸管模型 ? 功能特點： ■ XM-855螺旋器及膜性蝸管模型放大350倍，由3部件組成，顯示螺旋器及膜性蝸管三壁的立體微細結構。 ■ 模型內側端為骨性螺旋板，相當于螺旋緣外的斷面，可見其中的骨質、表面肥厚的骨膜及穿通骨質的聽神經纖維束。 ■ 另一端為螺旋韌帶，內含多數血管。 ■ 前庭膜起于骨膜，止于螺旋韌帶上方，由間皮、結締組織和上皮組成。 ■ 膜性蝸管外壁為螺旋韌帶，韌帶下部向內凸起為螺旋凸，向內側的尖銳突起為螺旋嵴，與膜性螺旋板相連，凸與嵴間的溝為外螺旋溝。 ■ 膜性蝸管下壁示骨性螺旋板骨膜肥厚形成螺旋緣，它突入膜性蝸管中，分別形成前庭唇和鼓室唇，二唇間有內螺旋溝。 ■ 鼓室唇的外方為膜性螺旋板的固有膜，它止于螺旋韌帶嵴，此處有聽弦（深紅色）呈放射狀進入螺旋韌帶中，在近骨性螺旋板處示多處穿孔帶，內有聽神經穿過。 ■ 螺旋器位于外內螺旋溝之間，固有膜之上，由各種細胞構成，示螺旋器的內隧道由內外柱細胞圍成。 ■ 內柱細胞（淺蘭色）上端長方形頭板與外柱細胞（深綠色）的凸形頭端相嵌合，內柱細胞內側有內指細胞（淺綠色）。 ■ 內指細胞內側有邊緣細胞（黃色），它內方變低為內螺旋溝上皮細胞，在內柱及邊緣細胞之間內指細胞之上，有呈長頸瓶形的內毛細胞（白色），上端表面有纖毛。 ■ 外柱細胞（白色）外側有外指細胞，外毛細胞位于其上，再向外為外螺旋溝上皮細胞。 ■ 蓋膜（黃褐色）由細纖維和膠樣基質所成。 ■ 前庭唇上有多數齒間細胞（蘭色），它下部埋于螺旋緣結締組織中，細胞上面合在一起形成蓋膜。 ■ 耳蝸神經的樹突和軸突穿過骨性螺旋板，再經穿孔帶進入邊緣和內指細胞間，一部終于內毛細胞上，大部纖維橫越內隧道分布于外毛細胞上。 ■ 尺寸：放大350倍，47.5×18×32.5cm ■ 材質：玻璃鋼材料

本發明涉及航天技術領域，旨在提供一種扭簧驅動的小衛星星載可展開平面結構及其安裝方法。該種扭簧驅動的小衛星星載可展開平面結構包括等邊三角形展開單元，等邊三角形展開單元包括薄壁桿件、節點、接頭、扭簧和銷軸，且相鄰的等邊三角形展開單元之間利用不同的節點拼接；該安裝方法包括步驟：有效載荷的安裝，薄壁桿件與接頭的連接，薄壁桿件與六向節點、三向節點、四向節點以及中心節點的連接，雙向節點的安裝，導線的焊接，小衛星星載可展開平面結構與小衛星的連接，導線的連接。本發明的可展開平面結構利用自身關節處的扭簧驅動展開，可以快速從折疊狀態轉為展開狀態，操作簡單，展開可靠性高。

一種半橋LLC諧振變換器中的高頻中間抽頭平面變壓器，采用八層結構，原邊繞組位于第一、三、六、八層，兩個副邊繞組分別位于第二、七層和四、五層，原邊附加繞組包括兩個矩形的附加繞組，第一、三、五、七層的繞組串聯構成一個附加繞組，第二、四、六、八層的繞組串聯構成另一個附加繞組，相鄰兩層之間的附加繞組交叉設置，且相鄰兩層之間的附加繞組之間采用完全正對繞制，使兩個附加繞組之間的等效電感Lr’和等效電容Cr’替代諧振網絡中分立的諧振電感Lr和諧振電容Cr，勵磁電感Lm由中間抽頭平面變壓器提供，通過磨磁芯的氣隙來獲得需要的勵磁電感值；原邊繞組或副邊繞組分別位于該層相應的矩形附加繞組之內。