新葡京娱乐场-大陆娱乐场开户注册

鋁合金結(jié)晶組織的微細(xì)化會(huì)顯著提高鋁材的強(qiáng)韌性、組織均勻性、致密性、 耐蝕性、加工工藝性和表面質(zhì)量等，并減少偏析和裂紋等諸多鑄造缺陷。目前， 國內(nèi)外通常采用 Al-Ti-B 或 Al-Ti-C 中間合金來細(xì)化晶粒，但 Al-Ti-B 中間合金 126 的形核襯底質(zhì)點(diǎn) TiB2 本身的直徑大小在 0.5-3.0μm，而且往往以較大的聚集團(tuán) 形式存在，如此大的顆粒團(tuán)在加入到鋁合金中后會(huì)帶來一系列的副作用。而普 通 Al-Ti-C 中間合金細(xì)化效果不穩(wěn)定，易衰退，難以滿足鋁制品產(chǎn)品質(zhì)量的要 求。 Al-Ti-C 中間合金之所以細(xì)化效果不穩(wěn)定和容易衰退，是由于其中的 TiCx 晶體存在較多碳空位，從而使之失穩(wěn)，且隨 TiCx中碳空位數(shù)量的增加，Al 原子 在 TiCx 表面的偏聚及有序化受到抑制，由原來的完全共格逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)椴煌耆?格。因此，減少 TiCx中的碳空位是提高其結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性和生核效率的關(guān)鍵。 研究表明，無空位的 TiC 是鋁的有效生核襯底，在接近凝固點(diǎn)的鋁熔體中， Al 原子能夠依附于其周圍形成一個(gè)完全共格的有序區(qū)，最終促進(jìn) α-Al 生核和鋁 晶粒細(xì)化。經(jīng)過長期的研究和探索發(fā)現(xiàn)，TiCx 中的碳空位可以被原子半徑較小 的 B、N 等原子填充，最終形成摻雜型的 TiCxB1-x和 TiCxN1-x等粒子，從而降低 空位濃度并提高異質(zhì)生核能力。 B 摻雜型 Al-Ti-C 晶種合金中含有大量直徑在 1μm 以下（亞微米）的 TiCxB1-x 晶核襯底粒子，且彌散分布，當(dāng)將該中間合金以微量（0.15%左右）加 入到待細(xì)化的鋁及其合金熔體中后，立即釋放出大量的亞微米級(jí)的摻雜型 TiC 晶核，從而使待細(xì)化鋁合金的晶粒組織得到顯著細(xì)化甚至超細(xì)化（指晶粒直徑 在微米級(jí)）。因此，采用摻雜型 Al-Ti-C 晶種合金對(duì)鋁熔體進(jìn)行晶粒細(xì)化處理 將是鋁加工行業(yè)又一次重要的技術(shù)進(jìn)步。

簡單介紹： 數(shù)顯腦力體定位儀又稱腦固定裝置，它是利用顱骨外面的標(biāo)志或其它參考點(diǎn)所規(guī)定的三度坐標(biāo)系統(tǒng)，來確定皮層下某些神經(jīng)結(jié)構(gòu)的位置，以便在非直視暴露下對(duì)其進(jìn)行定向的刺激、破壞、引導(dǎo)電位等研究。是神經(jīng)解剖、神經(jīng)生理、神經(jīng)藥理和神經(jīng)外科等領(lǐng)域內(nèi)的重要研究設(shè)備，用于對(duì)神經(jīng)結(jié)構(gòu)進(jìn)行定向的注射、刺激、破壞、引導(dǎo)電位等操作，可用于帕金森氏病動(dòng)物模型建立，癲癇動(dòng)物模型建立，腦內(nèi)腫瘤模型建立，學(xué)習(xí)記憶，腦內(nèi)神經(jīng)干細(xì)胞移植，腦缺血等研究 詳情介紹： 技術(shù)參數(shù)：1、材質(zhì)：合金材料,單臂臂模式（可定制加高）2、 尺寸：350×250×540mm3、 操作臂360度回轉(zhuǎn)，擺動(dòng)幅度180度4、 計(jì)數(shù)精度：±0.01mm5、 三維推進(jìn)器精度：±0.01mm6、 三維推進(jìn)行程：80mm7、顯示：LCD顯示屏（X、Y、Z三軸)8、 刻度激光雕刻9、 重量：6.0kg10、附大小鼠腦圖譜1套

本發(fā)明是關(guān)于半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，旨在提供InVO4/g-C3N4復(fù)合材料的制備方法。本發(fā)明包括如下步驟：將H2SO4水溶液逐滴加入三聚氰胺水溶液中形成白色懸浮液；80℃下攪拌2h后獲得沉淀，過濾，并用蒸餾水和無水乙醇洗滌，干燥處理后獲得三聚氰胺硫酸鹽；獲得g-C3N4顆粒；將g-C3N4顆粒分散到無水乙醇中得到分散體系，將偏釩酸銨水溶液逐滴加入該混合溶液中形成黃色澄清溶液；攪拌獲得沉淀，過濾、洗滌，加入表面活性劑并進(jìn)行水熱反應(yīng)；所得沉淀過濾，獲得InVO4/g-C3N4復(fù)合材料。本發(fā)明的有益效果是：解決了InVO4納米晶的形核、生長問題，促使InVO4納米晶在疏松g-C3N4顆粒表面原位生長。

高倍聚光光伏技術(shù)（HCPV）也稱為第三代光伏技術(shù)，是通過光學(xué)聚光器（聚光倍數(shù)   500-2000）將大面積的太陽光匯聚在很小面積的高效太陽能電池上，而進(jìn)行發(fā)電的一種技術(shù)。 與傳統(tǒng)的晶硅太陽能和薄膜太陽能相比，具有光電效率高、平衡時(shí)間短、度電成本低、無污染、壽   命長、土地綜合利用率高等優(yōu)點(diǎn)。 預(yù)計(jì)到 2020 年，HCPV 發(fā)電技術(shù)會(huì)成為人類最主要的太陽能發(fā)電方式之一。

一種含釩無磁 Ti(C,N)基金屬陶瓷及其制備方法，屬于金屬陶瓷 及制備方法。含釩無磁 Ti(C,N)基金屬陶瓷包括硬質(zhì)相和粘結(jié)相，原料 為粉末狀，其組分重量百分比為：TiC：42.11％～53.48％，TiN：7.91％～ 9.99％，Ni：27.78％～32.82％，Mo：9.30％～15.16％，VC：0.50％～ 1.99％，經(jīng)混料、濕磨、干燥、模壓成型、脫脂、真空燒結(jié)制備而成。 其制備方法順序包括混料、濕磨、干燥、模壓成

特性：純品為無色透明液體，工業(yè)品為淡黃色透明液體。貯存時(shí)間延長，顏色會(huì)逐漸變黃，陽光直射、大氣貯存，變色速度快。激烈搖動(dòng)后會(huì)暫時(shí)混濁，數(shù)小時(shí)后自然澄清。有胺味，溶于乙醇、乙醚、氯仿、苯等有機(jī)溶劑。 用途： a 做為乙烯基單體，用于共軛烯烴的高效阻聚劑。 b 在液相或氣相中對(duì)已有端聚種子的情況下，可作為高效端聚抑制劑。 c 是丁苯乳聚過程的非常優(yōu)異的終止劑。 d 是不飽和油類及樹脂的抗氧化劑。 e 是光敏樹脂、感光乳劑、合成樹脂的良好穩(wěn)定劑。 f 在環(huán)境保護(hù)中是良好的光化學(xué)煙霧抑制劑。 g 是鍋爐給水和蒸汽換熱設(shè)備的緩蝕劑。

針對(duì)我國低 C/N 比污水現(xiàn)狀和深度脫氮除磷的要求，本項(xiàng)目全面開發(fā)適用于低 C/N 比污水處理的A2/O+BAF（曝氣生物濾池）深度脫氮除磷工藝技術(shù)，以解決我國污水深度脫氮除磷碳源缺乏的問題。本項(xiàng)目基于反硝化除磷技術(shù)和雙污泥理論，構(gòu)建 A2/O+BAF 系統(tǒng)，從工藝設(shè)計(jì)上解決傳統(tǒng)工藝中脫氮和除磷污泥齡的矛盾，并建立起強(qiáng)化 A2/O+BAF 工藝反硝化除磷性能的過程控制方法，使污水處理在不外加碳源的條件下能夠達(dá)標(biāo)排放，并且能夠節(jié)省曝氣能耗和降低污泥產(chǎn)量，是一種具有廣泛應(yīng)用價(jià)值的新型污水處理技術(shù)。

雙馬來酰亞胺是一種合成高性能高分子化合物的單體，可用于制造耐熱性熱固性樹脂和高性能塑料合金。它在熱聚合后形成交聯(lián)的聚合物，具有良好的耐熱性、耐燃性、絕緣性，是目前制造耐熱結(jié)構(gòu)材料、絕緣材料的一種十分理想的樹脂基體。在電器絕緣材料、耐磨材料、乙丙橡膠、三元乙丙橡膠交聯(lián)劑、增強(qiáng)塑料添加劑、砂輪粘接劑、軍工等方面應(yīng)用得到良好效果。 雙馬來酰亞胺樹脂是國內(nèi)外廣泛應(yīng)用于高性能飛機(jī)復(fù)合材料構(gòu)件制造的樹脂，由于其良好的耐熱和耐濕性能而得到復(fù)合材料設(shè)計(jì)師的信任，但由于復(fù)合材料制造成本居高不下，復(fù)合材料的應(yīng)用受到費(fèi)用問題的限制。所謂高級(jí)復(fù)合材料是指母體樹脂與增強(qiáng)纖維復(fù)合而成的增強(qiáng)材料。以前多用環(huán)氧樹脂等熱固性樹脂為母體樹脂，因環(huán)氧樹脂耐熱較低(150℃以下)并且脆性較大，難以滿足高技術(shù)領(lǐng)域的要求，所以國外越來越多地采用熱塑性耐高溫、高強(qiáng)度的特種樹脂(或采用高性能、強(qiáng)韌性好的熱固性耐高溫特種樹脂)如聚醚醚酮(PEEK)、聚苯硫醚(PPS)、聚馬來酰胺(PI)和雙馬來酰亞胺樹脂等。在增強(qiáng)材料方面以前多用玻璃纖維，為了加強(qiáng)韌性，國外在高技術(shù)領(lǐng)域上的應(yīng)用已多改為碳纖維(CF)或碳纖維與芳綸纖維復(fù)合增強(qiáng)材料等。 隨著電子元器件和封裝技術(shù)的不斷發(fā)展，現(xiàn)代電子系統(tǒng)要求信號(hào)傳播速度越來越快，電子元器件的體積越來越小。因此，對(duì)基板的耐熱性、耐濕性、尺寸穩(wěn)定性及電氣特性等要求越來越高，迫切需要開發(fā)高性能樹脂作為基板材料。近年來，國內(nèi)外研究表明，由雙馬來酰亞胺與氰酸酯樹脂合成的BT樹脂具備了上述綜合性能。不但適用于制造高速數(shù)字及高頻用高級(jí)印制電路板的基板材料，也適于作高性能透波結(jié)構(gòu)材料和航空航天用高性能結(jié)構(gòu)復(fù)合材料的基體樹脂，目前已被一些世界著名電子產(chǎn)品制造廠家認(rèn)可，并已大量采用，預(yù)計(jì)將有大的市場空間。

（專利號(hào)：ZL 201310401572.6） 簡介：本發(fā)明公開一種N,N’-（4-乙氧基羰基苯基）-N’-芐基甲脒的制備方法，屬于芐基甲脒類化合物制備技術(shù)領(lǐng)域，主要用作紫外線吸收劑。本發(fā)明方法采用對(duì)氨基苯甲酸乙酯為原料，經(jīng)過甲酰化、縮合、N-烷基化的合成路徑制備出N,N’-（4-乙氧基羰基苯基）-N’-芐基甲脒產(chǎn)品。本發(fā)明具有如下顯著優(yōu)點(diǎn)：縮短了整個(gè)反應(yīng)流程的時(shí)間，提高了總收率；甲酰化和縮合反應(yīng)中后處理中濾液可以回收再利用，節(jié)約成本；最終產(chǎn)品的收率可穩(wěn)定在65%～70%，有利于工業(yè)化生產(chǎn)。