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本發(fā)明公開了一種時間分辨率自適應(yīng)調(diào)整的流場狀態(tài)測量方法，該方法包括如下步驟：首先，根據(jù)第 k+1 時刻圖像與第 k 時刻圖像之間的時間間隔Δt_k，采集第 k+1 時刻圖像，并對第 k 時刻和第k+1 時刻的圖像進(jìn)行降噪處理；然后，據(jù) k 時刻圖像和第 k+1 時刻的圖像，采用粒子圖像測速方法，計算第 k+1 時刻的流場狀態(tài) X(k+1)，包括：位移場 x(k+1)、速度場 x′(k+1)、加速度場 a(k+1)，并輸出顯示；最后，更新第 k+2 時刻與第

一種高單模成品率的分布反饋激光器，包括激光諧振腔、布拉 格光柵；布拉格光柵為啁啾光柵或者等效的啁啾光柵，并位于諧振腔 內(nèi)，其等效折射率沿諧振腔腔長方向是變化的；該激光器的模式增益 沿諧振腔腔長方向變化；該激光器輸出單縱模。本發(fā)明由于采用啁啾 光柵或者等效的啁啾光柵，同時使激光器的模式增益沿腔長方向變化， 并通過在激光器兩端面分別鍍高反膜和增透膜配合，能夠提高激光器 在布拉格阻帶指定的一邊，即藍(lán)邊或者紅邊光激射的概率，

本發(fā)明公開了一種通過施加低電平脈沖實現(xiàn)微納尺寸 GST 相變 材料非晶化率連續(xù)變化的控制方法，包括控制非晶化率連續(xù)單調(diào)增大 和連續(xù)單調(diào)減小的操作，通過利用兩個或兩個以上的連續(xù)脈沖的幅值、 寬度和間隔等三個參量綜合自適應(yīng)變化精確控制焦耳熱產(chǎn)生，繼而實 現(xiàn) GST 相變材料晶化率的連續(xù)變化，具體包括步驟：對相變存儲單元 施加具有一定參量的兩個或兩個以上的連續(xù)脈沖；在連續(xù)脈沖的作用 下，相變材料獲得一定的熱量，使部分相變材

一種基于多源遙感數(shù)據(jù)的城市不透水層信息提取方法，包括根據(jù)夜間燈光亮度影像，計算歸一化燈 光亮度并基于閾值分割方法對城市地表進(jìn)行區(qū)域類型分割;利用燈光亮度、陸地表面溫度與歸一化土壤 調(diào)節(jié)植被指數(shù)，構(gòu)建增強型歸一化不透水層指數(shù);通過建立每一種類型分割區(qū)域的增強型歸一化不透水 層指數(shù) MNDISI 與不透水層率之間的線性定量關(guān)系，進(jìn)行不透水層的提取工作。本發(fā)明較好地結(jié)合了多 源遙感數(shù)據(jù)的優(yōu)勢，有效抑制了光譜混淆對于不透水層率估算結(jié)果的不利影響，為城市土地利用和環(huán)境 變化監(jiān)測提供了一種新的途徑。

霍爾效應(yīng)測試儀—高低溫磁場型本儀器系統(tǒng)由：電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、高斯計、霍爾效應(yīng)樣品支架、標(biāo)準(zhǔn)樣品、高低溫杜瓦，控溫儀，系統(tǒng)軟件。為本儀器系統(tǒng)專門研制的JH10 效應(yīng)儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量復(fù)雜的切換繼電器——開關(guān)組裝成一體，大大減化了實驗的連線與操作。 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 產(chǎn)品概述： 本儀器系統(tǒng)由：電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、高斯計、霍爾效應(yīng)樣品支架、標(biāo)準(zhǔn)樣品、高低溫杜瓦，控溫儀，系統(tǒng)軟件。為本儀器系統(tǒng)專門研制的JH10 效應(yīng)儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量復(fù)雜的切換繼電器——開關(guān)組裝成一體，大大減化了實驗的連線與操作。JH10 可單獨做恒流源、微伏表使用。用于測量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的，因此霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必*的工具。 實驗結(jié)果由軟件自動計算得到，可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier oncentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(shù)(Hall Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等。 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 可測試材料: Ø 半導(dǎo)體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等； 低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR 材料等； 高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等。 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！  

產(chǎn)品詳細(xì)介紹產(chǎn)品簡介：　　 PQ001核磁共振造影劑馳豫率測試儀是一款經(jīng)典的小核磁，專為核磁共振造影劑研究應(yīng)用設(shè)計開發(fā)而成，該設(shè)備配套有造影劑專用弛豫時間測試軟件，可以直接測試得到不同濃度造影劑樣品的T1、T2弛豫時間，R1、R2弛豫速率以及造影劑樣品的弛豫效率r。弛豫時間測試過程非常簡單，樣品無需特別配置，軟件實現(xiàn)中英文雙語選擇界面，操作簡便，易學(xué)易用。技術(shù)指標(biāo)：1、磁體類型：永磁體；2、磁場強度：0.5±0.08T，儀器主頻率：21.3MHz；3、探頭線圈直徑：15mm；應(yīng)用解決方案：1、Gd類，F(xiàn)e類，Mn類等核磁共振造影劑T1、T2弛豫時間測試，弛豫效率r測試； 2、細(xì)胞液弛豫測試　　.....應(yīng)用案例一：T2弛豫時間測試應(yīng)用案例二：T1 弛豫時間測試應(yīng)用案例三：r2弛豫效率測試造影劑專用測試軟件注：儀器外觀如有變動，以產(chǎn)品技術(shù)資料為準(zhǔn)。

實驗原理 1、在電磁場的作用下，材料中的自由電子會在金屬表面發(fā)生集體振蕩，產(chǎn)生表面等離激元（Surface Plasmon）； 2、共振狀態(tài)下電磁場的能量被有效轉(zhuǎn)換為金屬表面自由電子的集體振動能。

TESK301型低溫控溫儀的前面板有高亮黃色數(shù)碼管和紅色指示燈顯示，保*各個角度溫度示數(shù)清晰可見。按鍵位置設(shè)置規(guī)范，按鍵圖標(biāo)清晰明了。同時TESK301具有三個輸出功率范圍，充分保*了各個控溫區(qū)間控溫的穩(wěn)定性，減小溫度過沖。安裝有標(biāo)準(zhǔn)的RS232 接口，可以通過控制軟件利用上位機控制，用戶也可開發(fā)自己的應(yīng)用軟件。   您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 低溫控溫儀TESK301低溫溫度儀 0.01K分辨率      TESK301內(nèi)置了一個標(biāo)準(zhǔn)恒流電源向電阻溫度計供電,通過四線法測量溫度傳感器電壓信號，經(jīng)16位A/D轉(zhuǎn)換，自校準(zhǔn)，數(shù)字濾波，查分度表，修正計算后顯示實測溫度，經(jīng)與設(shè)定溫度比較后，實時PID運算給出控制信號，通過機內(nèi)固態(tài)繼電器周期控制加熱電壓來實現(xiàn)溫度的控制。   您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 低溫控溫儀TESK301低溫溫度儀 0.01K分辨率     您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 作為北京高科技企業(yè)，錦正茂科技以現(xiàn)代高科技產(chǎn)業(yè)和傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)為核心業(yè)務(wù)，對內(nèi)承接科研生產(chǎn)任務(wù)，對外以商務(wù)平臺方式實現(xiàn)軍民兩用技術(shù)成果轉(zhuǎn)換，形成了科學(xué)管理的現(xiàn)代化經(jīng)營模式，專門從事物理、化學(xué)和材料等領(lǐng)域的科學(xué)儀器研發(fā)、銷售各類型超低溫測試設(shè)備（液氮 液氦）制冷機系統(tǒng)集成 ，定制 ，高低溫真空磁場發(fā)生系統(tǒng)，Helmholtz線圈（全套解決方案），電磁鐵（全系列支持定制），螺線管，電子槍（高穩(wěn)定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm），高低溫磁場真空探針臺，霍爾測試系統(tǒng)，電輸運測量解決方案，磁光克爾效應(yīng)測量系統(tǒng)等產(chǎn)品種類齊全，性能可靠，至今已有近10余年的歷史，是國內(nèi)（較早）生產(chǎn)探針臺，電輸運，電磁鐵的廠家之一。