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微波毫米波大功率計主要完成微波/毫米波領域大功率測試，是監測微波毫米波器件性能的關鍵測試儀器/設備。

由朱敏老師領銜的“面向6G的光載太赫茲通信”課題組，擁有一支包括教授、副教授4人，博士后10人、及數十位在讀博士、碩士研究生在內的高水平科研團隊。本課題組在東南大學移動通信重點國家重點實驗室和網絡通信與安全紫金山國家實驗室（籌）支持下，已具備了開展本項目研究必需的脈沖信號發生器、帶通濾波器、分波/合波器、高速光開關、實時采樣示波器和光譜儀等器件，并在實驗室內初步建成在國內屈指可數的高速光相干通信實驗平臺。同時具備光通信仿真軟件VPI，為項目研究提供了可靠的工具。

該灌溉系統針對南方丘陵山地土壤、地形、氣候及農村社會經濟條件，以“節水節能、先進適用、經濟 與生態效益并重"為指導思想，以廣大丘陵山區"建得起、用的來”為目的，研究開發出了以"低壓管道輸 水與波涌閘管灌溉“技術為主的低成本、節水型地面灌溉體系及其所需的關鍵設備。

掃描電子聲顯微鏡技術是在掃描電子顯微鏡的基礎上發展起來的一種基于熱聲效應的無損檢測技術。當掃描電子顯微鏡的探測電子束對樣品進行掃描成像時，入射的電子會把入射的能量部分轉化成熱能，從而使樣品表面及亞表面層的溫度升高。通過對掃描電子束實現強度調制，從而使樣品表面及亞表面周期性加熱激發聲波（電子聲信號）。檢測不同位置的聲信號的振幅和相位，可分析樣品在不同深度的結構、性質和參量，實現分層成像。由于電子束能聚焦得比較細，其成象分辨率優于光聲顯微鏡，特別適合于

本發明的硅基懸臂梁Ｔ型結間接加熱式未知頻率毫米波相位檢測器，實現結構主要由懸臂梁耦合結構、Ｔ型結和間接加熱式微波功率傳感器和開關構成。懸臂梁耦合結構包括兩組懸臂梁，每組懸臂梁由兩個對稱的懸臂梁構成兩個懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長度在所測信號頻率范圍內的中心頻率３５ＧＨｚ處為λ／４。為實現未知頻率毫米波相位的檢測，首先對待測信號的頻率進行檢測。頻率檢測通過測量兩路在所測信號頻率范圍內的中心頻率３５ＧＨｚ處相位差為９０度的耦合信號的合成功率實現；相位檢測通過將兩路在中心頻率３５ＧＨｚ處相位差為９０度的耦

本發明的硅基懸臂梁Ｔ型結直接加熱式未知頻率毫米波相位檢測器，其實現結構主要包括懸臂梁耦合結構、Ｔ型結和直接加熱式微波功率傳感器和開關。懸臂梁耦合結構包括兩組懸臂梁，每組懸臂梁由兩個對稱的懸臂梁構成，兩個懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長度在所測信號頻率范圍內的中心頻率３５ＧＨｚ處為λ／４。為實現未知頻率毫米波相位的檢測，首先對待測信號的頻率進行檢測。頻率檢測通過利用直接加熱式微波功率傳感器測量兩路在所測信號頻率范圍內的中心頻率３５ＧＨｚ處相位差為９０度的耦合信號的合成功率實現；相位檢測通過將兩路相位差為９

本發明的基于硅基懸臂梁Ｔ型結直接加熱在線式毫米波相位檢測器，主要由懸臂梁耦合結構、Ｔ型結和直接加熱式微波功率傳感器構成。懸臂梁耦合結構中，兩個懸臂梁在ＣＰＷ中央信號線上方，結構相同，用于耦合部分待測信號，通過錨區與Ｔ型結相連，兩個懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長度為λ／８。懸臂梁下方的ＣＰＷ中央信號線上覆蓋了一層Ｓｉ３Ｎ４介電層，用于防止電學短路。參考信號通過Ｔ型結分成兩路信號，分別與兩路懸臂梁耦合的信號通過Ｔ型結合成，Ｔ型結的輸出端連接到直接加熱式微波功率傳感器進行功率檢測。最后根據兩個直接加熱式微波

本發明的基于硅基懸臂梁Ｔ型結間接加熱在線式毫米波相位檢測器，主要由懸臂梁耦合結構、Ｔ型結和間接加熱式微波功率傳感器構成。懸臂梁耦合結構中，兩個懸臂梁在ＣＰＷ中央信號線上方，結構相同，用于耦合部分待測信號，通過錨區與Ｔ型結相連，兩個懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長度為λ／８。懸臂梁下方的ＣＰＷ中央信號線上覆蓋了一層Ｓｉ３Ｎ４介電層，用于防止電學短路。參考信號通過Ｔ型結分成兩路信號，分別與兩路懸臂梁耦合的信號通過Ｔ型結合成，Ｔ型結的輸出端連接到間接加熱式微波功率傳感器進行功率檢測。最后根據兩個間接加熱式微波

本發明公開了一種智能光伏電站模擬儀的匯流箱電路.本發明包括控制電路,供電電路,接口電路,通信電路和外圍電路.本發明可以用于光伏發電系統與陣列板,采集板的通信,使得主控板可以控制采集板及陣列板.本發明可以實現8塊太陽能電池板的電壓以及電流匯總輸出.

近年來,半導體光源正以新型固體光源的角色逐步進入照明領域。由于半導體照明具有高效、節能、環保、使用壽命長、響應速度快、耐振動、易維護等顯著優點,所以在國際上被公認為最有可能進入通用照明領域的新型固態冷光源。隨著其價格的不斷降低,發光亮度的不斷提高,半導體光源在照明領域中展現了廣泛的應用前景。業界普遍認為,半導體燈取代傳統的白熾燈和熒光燈,是大勢所趨。而半導體發光二極管（Light Emitting Diode , 簡稱LED）被認為是最有可能進入普通照明領域的一種綠色照明光源，按固體發光物理學原理,LED發光效率能近似100 % ,并具有工作電壓低、耗電量小、發光效率高、響應時間極短、光色純、抗沖擊、性能穩定可靠及成本低等優點,因此被譽為21 世紀新光源,有望成為繼白熾燈、熒光燈、高強度氣體放電燈之后的第四代光源。雖然LED具有以上的很多優點，但是發光效率和使用壽命仍是制約其普及應用的主要因素。 目前國內大多致力于LED外部封裝結構的研究，而公司里多采用進口芯片，如cree芯片，再在現有基礎上進行外部封裝結構和設計。而即便是散熱好，壽命長，取光效率比較好的封裝結構，國內所能達到的水平也就是剛剛超出100lm/w。主要原因在于其封裝材料的選擇和封裝結構的不合理性，浪費了芯片的出射光，從而降低了取光效率。而國外LED不僅在外部封裝結構，而且在芯片方向都明顯優于國內水平，所以基本壟斷國內LED的市場，尤其對于功率型白光LED的壟斷相當嚴重。而這些高亮度半導體LED芯片生產技術掌握在以美國Cree和Lumileds、日本的Nichia和Toyoda Gosei，以及歐洲的Osram等為首的少數大公司手中。 現在功率型白光LED 的光效已提高到80～100lmPW,而真正能夠取代白熾燈和熒光燈進入通用照明市場,其光效需要達到150lm/ W。這一方面要求在芯片的制作上不斷提高LED 的量子效率,同時還要求在LED 的封裝及燈具的設計制作過程中盡可能提高出光效率。現有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率較高，LED發出的光在出射芯片的時候，有相當一部分光被芯片與外界（環氧樹脂）的界面反射。本產品是通過特殊鍍膜方法，使LED芯片出光效率提高了10%。可以有效的增加LED的使用壽命，達到2萬小時以上，而且可以使發光效率達到120lm/w到160lm/w。擁有這樣長壽命和高出光效率的白光LED，必將引領整個照明市場，必將產生豐厚的利潤，具有非常好的發展前景。