新葡京娱乐场-大陆娱乐场开户注册

本發(fā)明的硅基縫隙耦合式Ｔ型結(jié)的直接式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器是由傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換和液晶顯示三大模塊組成，傳感器由共面波導(dǎo)傳輸線、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開關(guān)、Ｔ型結(jié)功分器、Ｔ型結(jié)功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，該結(jié)構(gòu)是制作在高阻Ｓｉ襯底上，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量；Ｔ型結(jié)功分器和Ｔ型結(jié)功合器是由共面波導(dǎo)傳輸線、扇形缺陷結(jié)構(gòu)和空氣橋組成；直接式熱電式功率傳感器由共面波導(dǎo)傳輸線、熱電偶和隔直電容所構(gòu)成。模數(shù)轉(zhuǎn)換部分由ＳＴＭ３２和ＡＤ６２０

該研究發(fā)現(xiàn)一種新的過氧自由基自氧化機(jī)制，闡明甲基硅氧烷大氣轉(zhuǎn)化會(huì)生成甲醛，增加其釋放的環(huán)境風(fēng)險(xiǎn)。該研究不僅拓展了對(duì)大氣過氧自由基化學(xué)的理解，還為甲基硅氧烷環(huán)境行為模擬和風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估提供了重要的基礎(chǔ)數(shù)據(jù)。

：鐵硅粉芯是一種新型復(fù)合軟磁材料，主要用于 替代傳統(tǒng)開了氣隙的硅鋼、鐵氧體及非晶等材料，作為電感器 和電抗器的磁芯，用于對(duì)直流疊加要求較高的大功率光伏逆變 器、風(fēng)電變流器、電動(dòng)汽車充電機(jī)、變頻空調(diào)、有源濾波器、 UPS 電源等新能源與節(jié)能電力電子系統(tǒng)。 鐵硅粉芯在器件中的作用是實(shí)現(xiàn)電磁能量轉(zhuǎn)換，其與繞制 線圈一起組成的各種磁性器件在電力電子系統(tǒng)中起到功率因數(shù) 校正和濾波

目前在工業(yè)上廣泛采用的CVD技術(shù)制備硅膜，工藝和設(shè)備復(fù)雜，成本高，且在安全和環(huán)保環(huán)節(jié)上投入巨大。我們?cè)趪?guó)內(nèi)首創(chuàng)出了微晶硅薄膜的PVD法沉積工藝，在溫度低于300度的條件下，在單晶硅片和普通玻璃片上制備出不同結(jié)晶度的微晶硅薄膜和納米結(jié)構(gòu)硅薄膜，可以得到具有高度<111>方向取向生長(zhǎng)的微晶硅薄膜，并實(shí)現(xiàn)了控制工藝的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。利用磁控濺射技術(shù)成功實(shí)現(xiàn)微晶硅薄膜的制備是一項(xiàng)重大突破，從根本上克服了現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，具有綠色、高效、簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。目前需要合作伙伴，把該實(shí)驗(yàn)室技術(shù)放大到工業(yè)規(guī)模。

一種多點(diǎn)接觸模式下的大面積納米壓印硅模具加工方法，它將硅(100)單晶片置于多微球的多點(diǎn)接觸板垂直下方位置，再使硅片與多點(diǎn)接觸板兩者垂直相對(duì)運(yùn)動(dòng)至發(fā)生接觸，并達(dá)到一定接觸載荷F；使多點(diǎn)接觸板和硅片按照既定軌跡相對(duì)運(yùn)動(dòng)，進(jìn)行刻劃；刻劃后，將硅片放入質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15～25％的KOH溶液中腐蝕一段分鐘，即可得到具有預(yù)先設(shè)定結(jié)構(gòu)的納米壓印硅模具。該方法在多點(diǎn)接觸模式下進(jìn)行，可以方便地控制所加工納米壓印硅模具的圖案、排列方式等；刻劃過程中硅片與多點(diǎn)接觸板始終保持平行狀態(tài)。該方法的設(shè)備和原材料成本低，操作簡(jiǎn)便、步驟簡(jiǎn)單，能一次性完成大面積的硅(100)單晶片納米壓印模具加工，具有明顯的低成本、高效率的特點(diǎn)。

本發(fā)明公開了一種摻雜硅量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括硅襯底，沉 積銀納米顆粒層，以及在銀納米顆粒結(jié)構(gòu)上沉積多層分布均勻且包含 摻雜硅量子點(diǎn)的 SiNx 薄膜，透明導(dǎo)電薄膜 AZO 層以及 Si3N4 鈍化層。 還公開了該發(fā)光二極管的制備方法，利用摻雜硅量子點(diǎn)-SiNx 薄膜的電 致發(fā)光特性，構(gòu)成發(fā)光二極管的發(fā)光有源層；利用摻雜可以鈍化量子 點(diǎn)，同時(shí)摻雜硅量子點(diǎn)與硅襯底形成的 p-n 結(jié)增強(qiáng)電子空穴的輻射復(fù) 合。此外，利用銀納

本發(fā)明公開了一種有機(jī)硅改性劑在改性熱固性酚醛樹脂中的應(yīng)用，該有機(jī)硅改性劑制備容易，經(jīng)過該有機(jī)硅改性劑改性的酚醛樹脂體系均一性好，產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定。以苯酚，甲醛溶液和該有機(jī)硅改性劑為原料，經(jīng)堿催化縮合可制得一類熱固性酚醛樹脂，其結(jié)構(gòu)特征在于酚醛樹脂分子中化學(xué)鍵合了聚二甲基硅氧烷鏈段。本發(fā)明制備的改性酚醛樹脂不易受潮，固化后的材料韌性和耐熱性能優(yōu)異，將其應(yīng)用于浸漬料制備的材料韌性要優(yōu)于一般的酚醛樹脂制品，亦可作為制備高性能摩擦材料等復(fù)合材料的粘合劑，能有效提高粘結(jié)處的剪切強(qiáng)度，不易脫膠。

碳納米管-硅太陽(yáng)能電池將具有優(yōu)異透明導(dǎo)電性能的碳納米管和高吸光性能的單晶硅完美結(jié)合，工藝簡(jiǎn)單，備受學(xué)術(shù)界關(guān)注。和目前光伏領(lǐng)域所研究的鈣鈦礦、半導(dǎo)體薄膜、量子點(diǎn)等材料相比，碳納米管-硅電池將傳統(tǒng)硅材料和新型碳納米材料兩者優(yōu)良的光電性能相結(jié)合，有望成為下一代光伏候選技術(shù)。和傳統(tǒng)晶體硅電池相比， 該電池省略了制備p-n結(jié)的熱擴(kuò)散工藝，小面積時(shí)無需蒸鍍金屬柵格，單壁碳納米管的導(dǎo)電性和載流子遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于晶體硅，因此具有低成本、高效率的優(yōu)點(diǎn)。目前， 該領(lǐng)域的典型結(jié)構(gòu)，無論是碳納米管-硅還是石墨烯-硅電池，都存在電池效率仍有待提高、電池面積偏小的問題，距離實(shí)際應(yīng)用還比較遙遠(yuǎn)。

碳納米管-硅太陽(yáng)能電池將具有優(yōu)異透明導(dǎo)電性能的碳納米管和高吸光性能的單晶硅完美結(jié)合，工藝簡(jiǎn)單，備受學(xué)術(shù)界關(guān)注。和目前光伏領(lǐng)域所研究的鈣鈦礦、半導(dǎo)體薄膜、量子點(diǎn)等材料相比，碳納米管 - 硅電池將傳統(tǒng)硅材料和新型碳納米材料兩者優(yōu)良的光電性能相結(jié)合，有望成為下一代光伏候選技術(shù)。和傳統(tǒng)晶體硅電池相比， 該電池省略了制備 p-n結(jié)的熱擴(kuò)散工藝，小面積時(shí)無需蒸鍍金屬柵格，單壁碳納米管的導(dǎo)電性和載流子遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于晶體硅，因此具有低成本、高效率的優(yōu)點(diǎn)。目前， 該領(lǐng)域的典型結(jié)構(gòu)，無論是碳納米管 - 硅還是石墨烯 - 硅電池，都存在電池效率仍有待提高、電池面積偏小的問題，距離實(shí)際應(yīng)用還比較遙遠(yuǎn)。

       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點(diǎn)： ※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640 ※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達(dá)：75V； ※ 損壞前電流高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用； ※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。 ???????