成果與項目的背景及主要用途：

Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數小、耐熱性和穩定性

好等優點，在精密電子設備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來

說，靶材是至關重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻

溫度系數（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數

(TCR)是金屬膜電阻器的一個重要性能技術指標之一，較大的 TCR 在溫度變化時

會造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩定性。目前國內外生產的金屬膜

電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。

技術原理與工藝流程簡介：

靶材煉制工藝如下圖所示

所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度

系數小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數量級為千歐, 刻槽后數量級為

兆歐)且穩定(隨時間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻

靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點高, 原子移動性低, 因此由其所組成的薄膜

穩定性高。通過在金屬 C r 中引入半導體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。

C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量

的氧來提高薄膜的電阻率, 同時調節電阻溫度系數。

技術指標如下：

溫度沖擊實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實驗后

ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。

應用領域：

集成電路、電子元器件

合作方式及條件：具體面議

2 半導體微環激光器

3 基光電集成電路

4 無線網絡與應用：協作無線網絡

5 移動通信—LTE 技術