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一種探測單根彎曲半導體納米線中晶格畸變的方法
2021-04-14 00:00:00
云上高博會
http://www.g2h0uzv.xyz
關鍵詞：
晶格畸變
所屬領域:
項目成果/簡介:
本發明公開了一種基于二次諧波顯微術探測單根彎曲半導體納米線中晶格畸變的高靈敏度方法。在顯微系統下，利用探針推動單根納米線一端使之彎曲，從而產生不同程度的晶格畸變。同時，將一束激光聚焦至單根納米線上一點 A，并連續改變泵浦光偏振方向和納米線長軸之間的夾角(偏振角θ)，測定二次諧波強度隨偏振角θ的變化關系。在保持泵浦光聚焦位置在 A 點不變的情況下，隨彎曲曲率逐漸增大，偏振角θ＝90°和θ＝0°時的二次諧波強度之比顯著減小。本發明提供了一種新型測定半導體納米線晶格畸變的全光方法，相對于傳統透射電鏡法，其
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