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抗輻射加固存儲單元電路
2021-04-14 00:00:00
云上高博會
http://www.g2h0uzv.xyz
關鍵詞：
存儲單元電路
所屬領域:
項目成果/簡介:
本發明公開了一種抗輻射加固存儲單元電路，包括：基本存儲
單元、冗余存儲單元和雙向反饋單元；其中，基本存儲單元包括第一、
第二 PMOS 管和第三、第四 PMOS 管；冗余存儲單元包括第五、第六
PMOS 管和第七、第八 PMOS 管；雙向反饋單元用于構成存儲節點與
冗余存儲節點間的反饋通路，還用于構成反相存儲節點與反相冗余存
儲節點間的反饋通路。本發明的存儲單元電路可自動實現抗總劑量效
應加固和抗單粒子閂鎖效應加固，同時利用冗余
項目階段:
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