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基于 SiCx 織構的硅量子點浮柵非易失性存儲器及其制備方法
2021-04-14 00:00:00
云上高博會
http://www.g2h0uzv.xyz
關鍵詞：
存儲器
所屬領域:
項目成果/簡介:
本發明公開了一種基于 SiCx 織構的硅量子點浮柵非易失性半導
體存儲器及其制備方法，包括硅襯底，在硅襯底上摻雜形成的源導電
區和漏導電區，以及在源漏之間的載流子溝道上依次生長的隧穿氧化
層、電荷存儲層、控制柵氧化層及金屬柵層；所述電荷存儲層包括 SiCx
織構和橫縱向均勻分布于 SiCx 織構中的硅量子點。本發明有效利用硅
量子點-SiCx 織構間的隧穿勢壘，構成了控制柵氧化層-SiCx 織構-Si
量子點-SiC
項目階段:
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