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關于氮化物半導體摻雜研究的進展
2021-04-11 00:00:00
云上高博會
http://www.g2h0uzv.xyz
關鍵詞：
半導體摻雜
所屬領域:
項目成果/簡介:
采用紅外光譜和拉曼光譜技術，克服了GaN中強烈的剩余射線帶相關反射區導致的測量難題，實驗中觀察到半絕緣GaN中與C有關的兩個局域振動模，并結合第一性原理計算，給出了C雜質在GaN中替代N位的直接證據，解決了這一長期存在的爭議問題。該成果對于理解和認識C雜質在AlN、BN、ZnO等其他六方對稱化合物半導體材料中的摻雜行為亦具有重要的參考價值。
項目階段:
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