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揭示單層MoS2能谷直接-間接帶隙轉變的研究

2021-04-11 00:00:00
云上高博會 http://www.g2h0uzv.xyz
關鍵詞: 單層MoS2
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所屬領域:
其它領域
項目成果/簡介:

利用大面積高質量的單層MoS2薄膜,對其施加了流體靜壓力并進行光譜測量。結果表明單層MoS2在壓應力的作用下,其熒光峰先以49.4 meV/GPa的壓力藍移,后以15.3 meV/GPa的壓力紅移,這對應著直接-間接能帶結構的轉變,轉變點壓力為1.9 GPa。

項目階段:
未應用
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